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STAV58010P2 Transistors de puissance RF au nitrure de gallium 50V, 10W, DC-6GHz
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xOperating Voltage | 55 Vdc | Maximum forward gate current | 2 mA |
---|---|---|---|
Gate--Source Voltage | S -8 to +0.5 Vdc | Drain--Source Voltage | +200 Vdc |
Storage Temperature Range | -65 to +150 | Case Operating Temperature | +150 |
Operating Junction Temperature | +225 |
D'autres produits Nitrure une tension de 50 V, 16 W, DC-6GHzRF Le pouvoir Transistors
Définition
Le Le nombre de points de contrôle doit être le suivant: est a) 16 watts, sans équivalent GaN HEMT, idéalpour Applications généralesà 6GHz. Je ne sais pas.
Il présentehaut Gain, large bande et faible le coût, dans 4*4,5 mmNuméro de familleen plastique Le paquet.
Ça peut. le soutienCW, le poulsou tout modulable Le signal.
Il est là. est Je ne veux pas garantie de la performance lorsque cette partie est utilisés à l'extérieur de déclaré les fréquences.
- Typique Classe AB Unique - Transporteur W--CDMA Caractérisation Résultats:
VDD = 50 Vdc,Je suis...DQ = 20 mA, Résultats de l'analyse Signalisation PAR = 10 dB @00,01 pour cent Probabilité sur Le CCDF.
(sur le - l'intégration plaque de demande avec le dispositif est soudé)
Fréquence | Pout | Le CCDF | Le sommet | Le sommet | RACP | Les gains | Je vous en prie. |
---|---|---|---|---|---|---|---|
3300 | 33.00 | 9.12 | 42.12 | 16.3 | - 35 ans.9 | 16.8 | 27.8 |
3400 | 32.99 | 9.04 | 42.03 | 16.0 | - 36 ans.3 | 17.1 | 27.8 |
3500 | 33.00 | 8.92 | 41.92 | 15.6 | - Il est 37.1 | 17.4 | 28.7 |
3600 | 32.97 | 8.90 | 41.88 | 15.4 | - Je ne sais pas.1 | 17.5 | 27.4 |
3700 | 33.00 | 8.97 | 41.97 | 15.7 | - 39 ans.4 | 17.4 | 27.4 |
3800 | 33.01 | 8.90 | 41.91 | 15.5 | - Quarante ans.7 | 16.6 | 25.7 |
Applications
- 5G, 4G l'infrastructure sans fil
- Large bande ou bande étroite puissance amplificateur
- Le test les instruments
- Le droit civil le pouls Radar
- Le détonateur