8 puces mordues d'image de programmation 1KB, boîtier de commande de micro d'ATTINY13A-SSU MCU

Caractéristiques

• Haute performance, microcontrôleur à 8 bits de la puissance faible AVR®
• Architecture avancée de RISC
– 120 instructions puissantes – la plupart d'exécution simple de rhythme
– 32 x 8 registres fonctionnants d'usage universel
– Opération entièrement statique
– Jusqu'à 20 MIPS de Througput à 20 mégahertz
• Segments élevés de mémoire non-volatile de résistance
– octets 1K de mémoire instantanée Auto-programmable de programme de Dans-système
– 64 octets EEPROM
– 64 octets SRAM interne
– Écrivez/cycles d'effacement : 10 000 Flash/100,000 EEPROM
– Conservation de données : 20 ans aux années 85°C/100 à 25°C (voir la page 6)
– Serrure de programmation pour la protection des données de Auto-programmation d'instantané et d'EEPROM
• Caractéristiques périphériques
– Un minuterie/compteur à 8 bits avec Prescaler et deux canaux de PWM
– 4 canal, 10 bit CDA avec la référence interne de tension
– Horloge de surveillance programmable avec l'oscillateur distinct de Sur-puce
– comparateur analogue de Sur-puce
• Caractéristiques spéciales de microcontrôleur
– la Sur-puce de debugWIRE corrigent le système
– Dans-système programmable par l'intermédiaire du port de SPI
– Sources d'interruption externe et interne
– Ralenti de puissance faible, réduction du bruit de CDA, et modes de puissance-vers le bas
– Augmenté Puissance-sur le circuit remis à zéro
– Circuit de détection programmable d'arrêt partiel avec la fonction de débronchement de logiciel
– Oscillateur calibré interne
• Entrée-sortie et paquets
– 8 goupille PDIP/SOIC : Six lignes programmables d'entrée-sortie
– 10 protection MLF : Six lignes programmables d'entrée-sortie
– 20 protection MLF : Six lignes programmables d'entrée-sortie
• Tension d'opération : – 1,8 – 5.5V
• Catégorie de vitesse :
– 0 – 4 mégahertz @ 1,8 – 5.5V
– 0 – 10 mégahertz @ 2,7 – 5.5V
– 0 – 20 mégahertz @ 4,5 – 5.5V
• Température ambiante industrielle
• Consommation de puissance faible
– Mode actif :
• µA 190 à 1,8 V et à 1 mégahertz
– Mode inactivité :
• 24 µA à 1,8 V et à 1 mégahertz