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MT25QL512ABB8E12-0SIT IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA Micron Technology Inc.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
AT24C512C-MAHM-T IC EEPROM 512KBIT I2C 8UDFN Technologie à puce
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA Les technologies Infineon ont été utilisées pour la mise en œuvre de cette technologie.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA Alliance Memory, Inc. est une société américaine de stockage de mémoires.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
IS43LD16640A-25BL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM - LPDDR2 mobile |
AT24C256C-MAHL-T IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8UDFN Technologie à puce
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
AT49F1024-55VC IC FLASH 1MBIT PARALLÈLE 40VSOP Technologie à puce
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | Flash |
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'une plateforme qui est utilisée par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM - LPDDR4 mobile |
CAT28LV256G25 IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC sur une partie
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Électronique de Winbond
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET (SLC) |