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CY7C1470V25-200BZI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA Les technologies Infineon ont été utilisées pour la réalisation de la technologie de l'information
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Synchrone, DTS |
MX25L6406EMI-12G IC FLASH 64MBIT SPI 86MHZ 16SOP Macronix
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM |
IS25LP128-JKLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
BR24G128NUX-3ATTR IC EEPROM 128KBIT VSON008X2030 Semi-conducteur Rohm
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
W25X20CLUXIG TR IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON Winbond Électronique
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | Flash |
71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc. est une société américaine
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALÈL 78FBGA Micron Technology Inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM - DDR4 |
AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP Technologie à puce
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |