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MT40A1G8SA-062E IT:E IC DRAM 8GBIT PARALÈL 78FBGA Micron Technology Inc.
| Nom de marque | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| Numéro de modèle | SERVICE INFORMATIQUE DE MT40A1G8SA-062E : E |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
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wechat: 0086 18588475571
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM - DDR4 | Capacité de la mémoire | 8Gbit |
| Organisation de mémoire | 1G x 8 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | 1,6 gigahertz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | - |
| Temps d'accès | - | Voltage - alimentation | 1.14V | 1.26V |
| Température de fonctionnement | -40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 78-TFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 78-FBGA (7.5x11) |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT40A4G4SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-075:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:F TR | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A512M8SA-075:F | DDR4 4G 512MX8 FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AIT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AIT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E IT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AAT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AAT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AUT:E TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E AUT:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AIT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AIT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E IT:F TR | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G8SA-062E IT:F | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AAT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AAT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A4G4SA-062E:F TR | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AIT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AIT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AUT:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E AUT:F TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AUT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AUT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AAT:F | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G16TD-062E AAT:F TR | DDR4 16G 1GX16 FBGA | |
| MT40A1G8SA-075:H | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:J TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E IT:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-075 C:E | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4SA-062E:F | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A4G4SA-062E PS:F | IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062EPS:J | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8SA-062E:G | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A2G4SA-062E PS:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AUT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AIT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AAT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AIT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AUT:R | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G8AG-062E AAT:R TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA |
Description de produit
Détails du produit
Définition
Ces compresseurs de tension transitoire de 1500 watts offrent des capacités de traitement de la puissance que l'on ne trouve que dans les paquets plus grands.Ils sont le plus souvent utilisés pour protéger contre les transitoires provenant d'environnements de commutation inductive ou d'effets de foudre secondaires induits tels que ceux trouvés dans les niveaux de surtension inférieurs de la norme IEC61000-4-5.Avec des temps de réaction très rapides, ils sont également efficaces pour protéger contre les ESD ou les EFT.Les caractéristiques de l'emballage Powermite® comprennent un fond entièrement métallique qui élimine la possibilité de piégeage du flux de soudure pendant l'assemblageIls offrent également un verrouillage unique qui agit comme un dissipateur de chaleur intégré.l'inductivité parasitaire est réduite au minimum pour réduire les dépassements de tension pendant les transitoires à haute tension.
Caractéristiques
• Package de montage de surface à profil très bas (1,1 mm)• Étagères intégrées de verrouillage des dissipateurs de chaleur
• Compatible avec les équipements d'insertion automatique
• Le fond entièrement métallique élimine le piégeage du flux
• Plage de tension de 5 à 170 volts
• Disponible en unidirectionnel ou en bidirectionnel (suffixe C pour bidirectionnel)
Rating maximal
• Température de fonctionnement: -55°C à +150°C• Température de stockage: -55°C à +150°C
• Puissance d' impulsion maximale de 1500 Watt (10 / 1000 μsec)
• Courant de surtension avant: 200 ampères à 8,3 ms (à l'exclusion bidirectionnelle)
• Taux d'augmentation de la répétition (facteur de charge): 0,01%
• Résistance thermique: 2,5°C / watt de jonction à l'écran 130°C / watt de jonction à l'environnement avec empreinte recommandée
• Température de plomb et de montage: 260°C pendant 10 secondes
Applications et avantages
• Protection contre la foudre• Protection transitoire par commutation inductive
• Petite empreinte
• Inductivité parasitaire très faible pour un dépassement minimal de la tension
• Conforme à la norme IEC61000-4-2 et à la norme IEC61000-4-4 pour la protection ESD et EFT respectivement et à la norme IEC61000-4-5 pour les niveaux de surtension définis dans le présent document
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
| Catégorie de produits | Les puces IC |
| Mfr | Micron Technology Inc. est une société |
| Série | - |
| Le paquet | Plateau |
| Statut du produit | Actif |
| Type de mémoire | Les produits de base |
| Format de mémoire | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR4 |
| Taille de la mémoire | 8Gb (1G x 8) |
| Interface mémoire | Parallèlement |
| Fréquence d'horloge | 1,6 GHz |
| Écrire-cycle-temps-mot-page | - |
| Appareil de régulation de la tension | Pour les appareils à commande numérique |
| Température de fonctionnement | -40°C à 95°C (TC) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Boîtier de colis | Pour les appareils de traitement de l'air |
| Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique, les caractéristiques suivantes sont utilisées: |
| Numéro du produit de base | MT40A1 |
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