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Puce de mémoire instantanée de bâti extérieur 64Kbit, EEPROM instantané d'IC de CAT28C64BG-12T

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Non-volatile | Format de mémoire | EEPROM |
---|---|---|---|
Technologie | EEPROM | Capacité de la mémoire | 64Kbit |
Organisation de mémoire | 8K X 8 | Interface de mémoire | Parallèle |
Fréquence du signal d'horloge | - | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 5ms |
Temps d'accès | 120 NS | Tension - approvisionnement | 4.5V | 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C | 70°C (VENTRES) | Montage du type | Bâti extérieur |
Paquet/cas | 32-LCC (J-avance) | Paquet de dispositif de fournisseur | 32-PLCC (11.43x13.97) |
Mettre en évidence | Puce de mémoire Flash à montage en surface,puce de mémoire Flash 64Kbit,EEPROM Flash IC CAT28C64BG-12T |
Description de produit
CAT28C64BG-12T IC EEPROM 64KBIT PARALLÈLE 32PLCC onsemi
détails du produit
DESCRIPTION
Le CAT28C64B est une EEPROM parallèle CMOS rapide, basse consommation, 5 V uniquement, organisée en 8K x 8 bits.Il nécessite une interface simple pour la programmation dans le système.Les verrous d'adresse et de données sur puce, le cycle d'écriture auto-temporisé avec effacement automatique et la protection d'écriture de mise sous/hors tension VCC éliminent le matériel de synchronisation et de protection supplémentaire.Les bits d'état DATA Polling et Toggle signalent le début et la fin du cycle d'écriture auto-temporisé.De plus, le CAT28C64B dispose d'une protection matérielle et logicielle en écriture.Le CAT28C64B est fabriqué à l'aide de la technologie avancée de grille flottante CMOS de Catalyst.Il est conçu pour supporter 100 000 cycles de programmation/effacement et a une durée de conservation des données de 100 ans.L'appareil est disponible en boîtier DIP 28 broches, TSOP, SOIC ou PLCC 32 broches approuvé par JEDEC .
CARACTÉRISTIQUES
■ Temps d'accès en lecture rapide :– 90/120/150ns
■ Dissipation CMOS basse consommation :
– Actif : 25 mA max.
– Veille : 100 µA max.
■ Opération d'écriture simple :
- Adresse sur puce et verrous de données
- Cycle d'écriture auto-chronométré avec effacement automatique
■ Temps de cycle d'écriture rapide :
– 5 ms maxi.
■ E/S compatibles CMOS et TTL
■ Protection matérielle et logicielle en écriture
■ Commercial, industriel et automobile
plages de température
■ Opération d'écriture de page automatique :
– 1 à 32 octets en 5ms
– Minuterie de chargement de page
■ Détection de fin d'écriture :
– Basculer le bit
– Interrogation de DONNÉES
■ 100 000 cycles de programmation/effacement
■ 100 ans de conservation des données
Caractéristiques
Attribut | Valeur d'attribut |
---|---|
Fabricant | onsemi |
catégorie de produit | CI de mémoire |
Série | - |
Emballage | Bande et bobine (TR) |
Paquet-Cas | 32-LCC (dérivation J) |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Interface | Parallèle |
Alimentation en tension | 4,5 V ~ 5,5 V |
Fournisseur-Dispositif-Package | 32-PLCC (11.43x13.97) |
Capacité mémoire | 64K (8K x 8) |
Type de mémoire | EEPROM |
Vitesse | 120ns |
Format-Mémoire | EEPROM - Parallèle |
Descriptions
Mémoire EEPROM IC 64Kb (8K x 8) Parallèle 120ns 32-PLCC (11.43x13.97)
EEPROM Parallèle 64K-bit 8K x 8 5V 32-Pin PLCC T/R
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