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128Mbit mémoire instantanée IC S25FS128SDSNFI100 SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Non-volatile | Format de mémoire | ÉCLAIR |
|---|---|---|---|
| Technologie | ÉCLAIR - NI | Capacité de la mémoire | 128Mbit |
| Organisation de mémoire | 16M x 8 | Interface de mémoire | SPI - Entrée-sortie de quadruple |
| Fréquence du signal d'horloge | 80 mégahertz | Tension - approvisionnement | 1.7V | 2V |
| Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (VENTRES) | Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | Coussin exposé 8-WDFN | Paquet de dispositif de fournisseur | 8-WSON (5x6) |
| Mettre en évidence | 128Mbit mémoire instantanée IC,Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI,S25FS128SDSNFI100 |
||
Description de produit
ÉCLAIR 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies de S25FS128SDSNFI100 IC
Détails de produit
■Caractéristiques
●E/S 2.0A●VRRM 20V~200V
●Bas VF, perte de puissance faible
●Capacité actuelle en avant de haute montée subite
■Applications
●Redresseur
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | Semi-conducteur de Cypress |
| Catégorie de produit | Mémoire IC |
| Série | FSS |
| Emballage | Tray Alternate Packaging |
| Paquet-cas | 8-WDFN a exposé la protection |
| L'Actionner-température | -40°C | 85°C (VENTRES) |
| Interface | Publication périodique de SPI |
| Tension-approvisionnement | 1,7 V | 2 V |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | 8-WSON (6x5) |
| Capacité de stockage | 128M (16M x 8) |
| De type mémoire | ÉCLAIR - NI |
| Vitesse | 80MHz |
| Format-mémoire | ÉCLAIR |
Descriptions
ÉCLAIR - NI mémoire IC 128Mb (16M x 8) SPI - entrée-sortie 80MHz 8-WSON (5x6) de quadruple
NI (SPI, double SPI, quadruple SPI) 1.8V périodique instantané WSON de 128M-bit 16M x 8 plateau de PE de 8ns 8-Pin
Mémoire instantanée 128Mb, 1.8V, éclair de 80Mhz MirrorBit SPI
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