Stable 85MHZ Mémoire Flash IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

 

Description

L'Atmel AT45DB161E est une mémoire flash à accès séquentiel à interface série de 2,3 V ou 2,5 V minimum, idéale pour une grande variété d'applications numériques de voix, d'images, de code de programme et de stockage de données.L'AT45DB161E prend également en charge l'interface série RapidS pour les applications nécessitant un fonctionnement à très haute vitesse.Ses 17 301 504 bits de mémoire sont organisés en 4 096 pages de 512 octets ou 528 octets chacune.En plus de la mémoire principale, l'AT45DB161E contient également deux tampons SRAM de 512/528 octets chacun.Les tampons permettent de recevoir des données pendant qu'une page de la mémoire principale est en cours de reprogrammation.L'entrelacement entre les deux tampons peut augmenter considérablement la capacité d'un système à écrire un flux de données continu.De plus, les tampons SRAM peuvent être utilisés comme mémoire de travail supplémentaire du système, et l'émulation E2PROM (altérabilité des bits ou des octets) peut être facilement gérée avec une opération autonome de lecture-modification-écriture en trois étapes.

 

 

Caractéristiques

 Alimentation unique 2.3V - 3.6V ou 2.5V - 3.6V
 Compatible avec l'interface périphérique série (SPI)
 Prend en charge les modes SPI 0 et 3
 Prend en charge le fonctionnement Atmel® RapidS™
 Capacité de lecture continue sur l'ensemble du réseau
 Jusqu'à 85 MHz
 Option de lecture basse consommation jusqu'à 10 MHz
 Temps d'horloge à sortie (tV) de 6ns maximum
 Taille de page configurable par l'utilisateur
 512 octets par page
 528 octets par page (par défaut)
 La taille de la page peut être préconfigurée en usine pour 512 octets
 Deux tampons de données SRAM entièrement indépendants (512/528 octets)
 Permet de recevoir des données lors de la reprogrammation de la matrice de mémoire principale
 Options de programmation flexibles
 Programme Octet/Page (1 à 512/528 octets) directement dans la mémoire principale
 Tampon d'écriture
 Tampon au programme de page de mémoire principale
 Options d'effacement flexibles
 Effacement de page (512/528 octets)
 Effacement de bloc (4KB)
 Effacement de secteur (128 Ko)
 Effacement de puce (16-Mbits)
 Programmer et effacer suspendre/reprendre
 Fonctionnalités avancées de protection des données matérielles et logicielles
 Protection individuelle du secteur
 Verrouillage de secteur individuel pour rendre n'importe quel secteur en lecture seule en permanence
 128 octets, registre de sécurité programmable une seule fois (OTP)
 64 octets programmés en usine avec un identifiant unique
 64 octets programmables par l'utilisateur
 Réinitialisation contrôlée par logiciel
 Lecture standard du fabricant et de l'ID de l'appareil JEDEC
 Dissipation de faible puissance
 Courant de mise hors tension ultra-profond de 500 nA (typique)
 Courant de mise hors tension profonde de 3 μA (typique)
 25μA Courant de veille (typique)
 Courant de lecture actif de 11 mA (typique)
 Endurance : 100 000 cycles de programmation/effacement par page minimum
 Conservation des données : 20 ans
 Conforme à la plage de température industrielle complète
 Options d'emballage vert (Pb/sans halogénure/conforme RoHS)
 SOIC à 8 dérivations (largeur de 0,150 pouce)
 DFN ultra-mince à 8 pads (5 x 6 x 0,6 mm)
 BGA à puce à 9 billes (5 x 5 x 1,2 mm)