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71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA Renesas Electronics America Inc. est une société américaine
Nom de marque | Renesas Electronics America Inc |
---|---|
Numéro de modèle | Pour les appareils à commande numérique |
Quantité de commande min | 1 |
Prix | Based on current price |
Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
Conditions de paiement | T/T |
Capacité d'approvisionnement | En stock |

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | SRAM |
---|---|---|---|
Technologie | SRAM - Asynchrone | Capacité de la mémoire | 4Mbit |
Organisation de mémoire | 256K x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | - | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 12ns |
Temps d'accès | 12 ns | Voltage - alimentation | 3V à 3,6V |
Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 48-TFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
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71V416S12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L10BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
71V416L15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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71V416L10BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
Description de produit
Détails du produit
Définition
L'IDT71V416 est un 4,194La RAM statique à haute vitesse de 304 bits est organisée en 256K x 16. Elle est fabriquée en utilisant la technologie CMOS haute performance et fiable.combiné à des techniques innovantes de conception de circuits, fournit une solution rentable pour les besoins de mémoire haute vitesse.L'IDT71V416 dispose d'une broche d'activation de sortie qui fonctionne aussi vite que 5ns, avec des temps d'accès à l'adresse aussi rapides que 10ns.Toutes les entrées et sorties bidirectionnelles de l'IDT71V416 sont compatibles avec LVTTL et fonctionnent à partir d'une seule 3L'alimentation est de 3 V. Il est utilisé un circuit asynchrone entièrement statique, qui ne nécessite pas d'horloges ou de rafraîchissement pour fonctionner.
Caractéristiques
◆ 256K x 16 RAM CMOS statique haute vitesse avancée◆ JEDEC Center Power / GND pour réduire le bruit.
◆ Accès égal et temps de cycle
¢ Commercial et industriel: 10/12/15 ans
◆ Une puce Select plus une broche Output Enable
◆ Les entrées et sorties bidirectionnelles de données directement compatibles avec LVTTL
◆ Faible consommation électrique grâce à la désactivation des puces
◆ Les broches permettant l'utilisation des octets supérieur et inférieur
◆ Une seule alimentation de 3,3 V
◆ Disponible dans un emballage en plastique SOJ de 44 broches et 400 millimètres et un emballage TSOP de type II de 44 broches et 400 millimètres ainsi qu'une grille à billes de 48 broches et un emballage de 9 mm x 9 mm.
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Systèmes de circuits intégrés |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | Pour l'aéronef |
Le type | Asynchrone |
Emballage | Emballage de remplacement de plateau |
Mode de montage | DSM/SMT |
Boîtier de colis | 48-TFBGA |
Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 3 V à 3,6 V |
Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique |
Capacité de mémoire | 4M (256K x 16) |
Type de mémoire | SRAM - Asynchrone |
Vitesse | 12 ans |
Temps d'accès | 12 ns |
Format-mémoire | La RAM |
Température de fonctionnement maximale | + 85 C |
Plage de température de fonctionnement | - Quarante degrés. |
Type d'interface | Parallèlement |
Organisation du projet | 256 k x 16 |
Le courant d'approvisionnement maximal | 180 mA |
Partie #-Alias | Le nombre de points de contrôle est le suivant: |
Voltage d'alimentation maximal | 3.6 V |
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. | 3 V |
Boîtier de colis | CABGA-48 |
Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
L'équipement est équipé d'un système de contrôle de la circulation. La mémoire |
La mémoire SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 est fournie. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de l'analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité. |
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation. La mémoire |
La RAM SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme à la réglementation ROHS, BGA-48 | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre de points d'intervention doit être supérieur ou égal à: |
Le numéro de série de l'équipement est le numéro de série de l'équipement. La mémoire |
La mémoire SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 est fournie. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence de l'électricité. |
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: La mémoire |
La mémoire SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 est fournie. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre de points d'intervention est calculé en fonction du nombre de points d'intervention |
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil. La mémoire |
La mémoire SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 est fournie. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence de l'électricité utilisée. |
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. La mémoire |
La mémoire SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, POWER, BGA-48 est utilisée pour les systèmes de stockage de données. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence de l'électricité. |
Les données sont fournies à l'adresse suivante: La mémoire |
La RAM SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme à la réglementation ROHS, BGA-48 | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre total de véhicules à moteur est de: |
Pour les produits de la catégorie 1 La mémoire |
CABGA-48, rouleau | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de l'analyse est le résultat de l'analyse. |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. La mémoire |
La mémoire SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 est fournie. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre de personnes concernées par les mesures de protection des données est calculé sur la base des données fournies. |
Le numéro d'immatriculation du véhicule est: La mémoire |
La RAM SRAM standard, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, conforme à la réglementation ROHS, BGA-48 | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de l'analyse est le résultat de l'analyse de l'échantillon. |
Décrits
SRAM - mémoire IC asynchrone de 4 Mb (256K x 16) parallèle à 12ns 48-CABGA (9x9)
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3,3 V CMOS SRAM, qui est utilisé pour la mise en œuvre de l'opération
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