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IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

  • IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nom de marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM Capacité de la mémoire 16Mbit
Organisation de mémoire 1M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 143 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 5,5 NS Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 50-TSOP (0,400", largeur de 10,16 mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 50-TSOP II
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Part Number Description
IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100H-7TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100H-7TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100H-7TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100H-6TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100H-6TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100H-6TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100H-6TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16100H-7TLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16100H-7TLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16100H-7TLA2-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16100H-7TLA2 IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-7TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-5T IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-5T-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-5TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-5TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-6T IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-6T-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-6TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-6TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-7T IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-7T-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-7TI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-7TI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-7TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-7TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100C1-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42VS16100C1-10T IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42VS16100C1-10T-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42VS16100C1-10TI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42VS16100C1-10TI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42VS16100C1-10TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42VS16100C1-10TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42VS16100C1-10TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42VS16100C1-10TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-7TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-6TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-5TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-7TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-6TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16100C1-7TLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-7TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-6TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-5TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-6TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16100C1-7TLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16400F-7TLA2 IC DRAM 64MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16400F-7TLA2-TR IC DRAM 64MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-7TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100E-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-5TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-5TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-6TL IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-6TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-6TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-6TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-7TLI IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS42S16100F-7TL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16100E-7TLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
IS45S16100E-7TLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
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Description de produit

Détails du produit

DESCRIPTION La DRAM synchrone ISSI de 16 Mb IS42S16100 est organisée en une banque de 524 288 mots x 16 bits x 2 pour une performance améliorée.Les DRAM synchrones permettent un transfert de données à grande vitesse grâce à une architecture de pipeline. Tous les signaux d'entrée et de sortie se réfèrent au bord croissant de l'entrée de l'horloge.

Caractéristiques

• Fréquence horlogère: 166, 143, 100 MHz
• entièrement synchrone; tous les signaux sont référencés sur un cadran positif
• Deux banques peuvent fonctionner simultanément et indépendamment
• Banque interne double contrôlée par A11 (banque sélectionnée)
• alimentation unique de 3,3 V
• Interface LVTTL
• Longueur de rafale programmable 1, 2, 4, 8, page complète
• Séquence d'explosion programmable: séquentielle/intermédiaire
• Auto-actualisation, auto-actualisation
• 4096 cycles de mise à jour toutes les 128 ms
• Adresse de colonne aléatoire à chaque cycle d'horloge
• latence du CAS programmable (2, 3 heures)
• Capacité de lecture/écriture rapide et de lecture/écriture rapide
• Termination de l'explosion par commande d'arrêt de l'explosion et de précharge
• Byte contrôlé par LDQM et UDQM
• Paquet 400 millimètres à 50 broches TSOP II

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement
Boîtier de colis 50-TSOP (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur 50-TSOP II
Capacité de mémoire 16M (1M x 16)
Type de mémoire SDRAM
Vitesse 143 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

Mémoire SDRAM IC de 16 Mb (1M x 16) parallèle à 143 MHz 5,5 ns 50-TSOP II
16M, 3.3V, mémoire SDRAM, 1MX16, 143MH
La RAM 16M, 3,3 V, la SDRAM 1Mx16, 143 MHz, est conforme à la réglementation RoHS.
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI