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IS43DR81280C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM-DDR2 |
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Intégré
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | NVSRAM |
| Technologie: | NVSRAM (SRAM non-volatile) |
CY7C10612G30-10ZSXI IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II Les technologies Infineon
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
IS25LP128-JBLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8SOIC ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
IS25LP128-JMLE IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Les technologies Infineon ont été développées par des spécialistes de la technologie
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
MX29F200CBTI-70G IC FLASH 2MBIT PARALLÈLE 48TSOP Macronix
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
S25FL128LAGNFI010 IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON Les technologies Infineon ont été utilisées pour la fabrication de l'appareil
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Électronique de la société Winbond
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM - LPDDR mobile |
MTFC2GMTEA-WT TR IC FLASH 16GBIT MMC 153WFBGA Micron Technology Inc.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET |