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DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Intégré

  • DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Nom de marque Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Numéro de modèle DS1225AD-200+
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire NVSRAM
Technologie NVSRAM (SRAM non-volatile) Capacité de la mémoire 64Kbit
Organisation de mémoire 8K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 200ns
Temps d'accès 200 NS Voltage - alimentation 4.5V à 5.5V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage À travers le trou
Emballage / boîtier Module à 28 DIP (0,600" et 15,24 mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 28-EDIP
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Part Number Description
DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-200+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AD-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-170+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230AB-85+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-85 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-150 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-200IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-150IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230Y-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230W-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-85 IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-120IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230Y-200IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1230AB-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225AB-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AB-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70 IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225AD-70IND IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1230W-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DS1225Y-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-150IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
DS1225Y-200IND+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition

Les DS1225AB et DS1225AD sont des SRAMs entièrement statiques et non volatils de 65 536 bits organisés en 8 192 mots par 8 bits.Chaque SRAM NV est dotée d'une source d'énergie lithium autonome et d'un circuit de commande qui surveille constamment le VCC pour une condition hors tolérance..

Caractéristiques

10 ans de conservation minimale des données en l'absence d'alimentation externe
Les données sont automatiquement protégées en cas de panne de courant
Remplace directement la RAM statique volatile 8k x 8 ou EEPROM
Cycles d'écriture illimités
CMOS à faible consommation
Paquet DIP standard JEDEC à 28 broches
Temps d'accès à la lecture et à l'écriture jusqu'à 70 ns
La source d'énergie au lithium est déconnectée électriquement pour conserver sa fraîcheur jusqu'à ce que l'alimentation soit appliquée pour la première fois
La fréquence d'écoulement de l'appareil doit être supérieure ou égale à:
Optionnel dans une plage de fonctionnement VCC de ±5% (DS1225AB)
Plage de température industrielle facultative de -40°C à +85°C, désignée IND

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Maxime intégré
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Le numéro de série:
Emballage Tuyaux
Mode de montage À travers le trou
Boîtier de colis Module à 28 DIP (0,600" et 15,24 mm)
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 4.5 V ~ 5.5 V
Produit fourni par le fournisseur 28 - EDIP
Capacité de mémoire 64K (8K x 8)
Type de mémoire Les appareils de surveillance de l'environnement doivent être équipés d'un système de surveillance de l'environnement.
Vitesse 200 ns
Temps d'accès 200 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 70 °C
Plage de température de fonctionnement 0 C
Courant d'alimentation en fonctionnement 75 mA
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 8 k x 8
Partie #-Alias Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.
Largeur du bus de données 8 bits
Voltage d'alimentation maximal 5.5 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 4.5 V
Boîtier de colis Le projet de directive

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
DS1225Y-200+
La mémoire		 Module SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-28 Produits intégrés Maxim DS1225AD-200+ contre DS1225Y-200+
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Rochester Electronics LLC est une société La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon
La valeur de l'échantillon est la valeur de l'échantillon.
La mémoire		 Module SRAM non volatil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 pouces, DIP-28 Produits intégrés Maxim La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur.
Le numéro de série
La mémoire		 Module SRAM non volatil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 pouces, étendu, DIP-28 Dallas Semi-conducteur Les résultats de l'enquête sont les suivants:
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
La mémoire		 Module SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-28 Produits intégrés Maxim La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon
Le montant de l'aide doit être calculé en fonction de la situation actuelle.
La mémoire		 Le système de traitement de l'information doit être conforme aux exigences du présent règlement. Les instruments du Texas DS1225AD-200+ contre BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200
La mémoire		 Les données de base sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Les instruments du Texas DS1225AD-200+ contre BQ4010YMA-200
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:
La mémoire		 Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Rochester Electronics LLC est une société Les résultats de l'analyse sont les suivants:
La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:
La mémoire		 Module SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-28 Produits intégrés Maxim Les résultats de l'analyse sont les suivants:
Le nombre d'étoiles est déterminé par la méthode suivante:
La mémoire		 Module SRAM non volatile, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-28 Produits intégrés Maxim La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon

Décrits

NVSRAM (SRAM non volatile) mémoire IC 64Kb (8K x 8) parallèle 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k SRAM non volatile
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI