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W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Électronique de la société Winbond

  • W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA Winbond Electronics
Nom de marque Winbond Electronics
Numéro de modèle W949D6DBHX5I
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
Conditions de paiement T/T
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR mobile Capacité de la mémoire 512Mbit
Organisation de mémoire 32M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 200 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 5 NS Voltage - alimentation 1.7V | 1.95V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 60-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 60-VFBGA (8x9)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
W949D6DBHX5I IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
W948D6KBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W949D6DBHX5E IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W94AD6KBHX5E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W94AD6KBHX5E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 IT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:A TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-5:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 AT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 IT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 AT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-75:A IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-5 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H8M16LFBF-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M16LFBF-6:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60VFBGA
W948D6FBHX5E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5I IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-5 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
W947D6HBHX5I TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX6E TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W947D6HBHX5E TR IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AAT:C IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6E TR IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6KBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX5J IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6G IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
W948D6FBHX6I IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
MT46H16M32LFB5-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA
MT46H32M16LFBF-6 AT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 60VFBGA
MT46H128M16LFDD-48 WT:C TR IC DRAM 2GBIT PAR 208MHZ 60VFBGA
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Description de produit

Détails du produit

Définition générale

W9425G6DH est une mémoire d'accès aléatoire dynamique synchrone à double débit de données CMOS (DDR SDRAM), organisée en 4,194En utilisant une architecture en pipeline et une technologie de processus de 0,11 μm, W9425G6DH offre une bande passante de données allant jusqu'à 500 M mots par seconde (-4).Pour se conformer pleinement à la norme industrielle des ordinateurs personnels, W9425G6DH est classé en quatre niveaux de vitesse: -4, -5, -6 et -75. Le -4 est conforme à la spécification DDR500/CL3. Le -5 est conforme à la spécification DDR400/CL3.Le -6 est conforme à la DDR333/CL2.5 spécification (le grade -6I qui est garanti pour supporter -40°C ~ 85°C). Le -75 est conforme à la spécification DDR266/CL2 (le grade 75I qui est garanti pour supporter -40°C ~ 85°C).

Caractéristiques

• alimentation de 2,5 V ± 0,2 V pour le DDR266/DDR333
• Apporte d'alimentation de 2,6 V ±0,1 V pour le DDR400/DDR500
• Fréquence d'horloge jusqu'à 250 MHz
• Architecture à double débit de données; deux transferts de données par cycle d'horloge
• Entrées d'horloge différentielle (CLK et CLK)
• Le DQS est aligné sur les bords avec les données de lecture; aligné au centre avec les données d'écriture
• CAS latence: 2, 2,5 et 3
• Longueur des éclats: 2, 4 et 8
• Autorefraîchissement et auto-refraîchissement
• Désactivation préchargée et active
• Écrire un masque de données
• Écrire latence = 1
• intervalle de rafraîchissement de 7,8 μS (8K / 64 mS de rafraîchissement)
• Cycle de mise à jour maximal: 8
• Interface: SSTL_2
• Emballé en TSOP II 66 broches, 400 mil, 0,65 mm d'envergure, sans Pb et conforme à la réglementation RoHS

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Électronique Winbond
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 60 - TFBGA
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,95 V
Produit fourni par le fournisseur Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Capacité de mémoire 512M (32M x 16)
Type de mémoire SDRAM LPDDR mobiles
Vitesse 200 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire mobile LPDDR IC de 512 Mb (32 M x 16) parallèle à 200 MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
La carte SDRAM est une carte SDRAM à puce de 60 broches.
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI