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AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | Flash |
Technologie: | Flash |
FM18W08-PG IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP Cypress Semi-conducteurs Corp.
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | FRAM |
Technologie: | FRAM (RAM ferroélectrique) |
MT29F128G08AUCBBH3-12:B IC FLASH 128GBIT PAR 100LBGA Micron Technology Inc.
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | Flash |
Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET |
MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'un système de traitement de données qui est utilisé par les opérateurs de télécommunications.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM - DDR3L |
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim intégré
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | NVSRAM |
Technologie: | NVSRAM (SRAM non-volatile) |
93LC46BT-I/OT IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6 Technologie à puce
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | EEPROM |
Technologie: | EEPROM |
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1.6GHz 200WFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | DRACHME |
Technologie: | SDRAM - LPDDR4 mobile |
AT24CM01-SHD-B IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8SOIC Technologie à puce électronique
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | EEPROM |
Technologie: | EEPROM |
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.
Type de mémoire: | Volatil |
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Format de mémoire: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Asynchrone |
AT25DF021A-XMHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8TSSOP Renesas Design Allemagne GmbH
Type de mémoire: | Non-volatile |
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Format de mémoire: | Flash |
Technologie: | Flash |