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S25FS512SAGNFI011 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON Infineon Technologies est une société de technologie basée en France.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Allemagne GmbH
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | Flash |
PC28F640P30B85A IC FLASH 64MBIT PAR 64EASYBGA Micron Technology Inc.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
IS61DDB251236A-250M3L IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - synchrone, DDR II |
S29GL512S10FHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA Les technologies Infineon
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
CY14B101LA-SP45XI IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP Technologies de l'Infineon qui est fournie par les fournisseurs de services de téléphonie mobile
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | NVSRAM |
| Technologie: | NVSRAM (SRAM non-volatile) |
AT27C256R-70PU IC EPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP Technologie à puce
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EPROM |
| Technologie: | EPROM - OTP (en anglais seulement) |
Le système de commande de l'appareil est basé sur le système de commande de l'appareil
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | EEPROM |
| Technologie: | EEPROM |
71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALÈL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |