AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN Renesas Design Allemagne GmbH

[adésto]

Définition

L'AT45DB041E est une mémoire flash d'accès séquentiel à interface série de 1,65 V minimum, idéale pour une grande variété d'applications de voix numérique, d'image, de code de programme et de stockage de données.L'AT45DB041E prend également en charge l'interface série RapidS pour les applications nécessitant un fonctionnement à très haute vitesseIl est à 4 heures.194En plus de la mémoire principale, l'AT45DB041E contient également deux tampons SRAM de 256/264 octets chacun.Les tampons permettent de recevoir des données pendant qu'une page dans la mémoire principale est reprogrammée.
L'intercalage entre les deux tampons peut augmenter considérablement la capacité du système à écrire un flux de données continu.et l'émulation E2PROM (altérabilité en bits ou en octets) peut être facilement gérée avec une opération de lecture-modification-écriture en trois étapes autonome.

Caractéristiques

● alimentation unique de 1,65 V à 3,6 V
● Interface périphérique en série (SPI) compatible
● Prend en charge les modes SPI 0 et 3
● Prend en charge le fonctionnement RapidSTM
● Possibilité de lecture continue de l'ensemble du tableau
● Jusqu'à 85 MHz
● Option de lecture à faible puissance jusqu'à 15 MHz
● Temps d'horloge à sortie (tV) de 6 ns maximum
● Taille de page configurable par l'utilisateur
● 256 octets par page
● 264 octets par page (par défaut)
● La taille de la page peut être préconfigurée en usine pour 256 octets
● Deux tampons de données SRAM totalement indépendants (256/264 octets)
● Permet de recevoir des données tout en reprogrammant le tableau de mémoire principal
● Options de programmation flexibles
● Le programme par octet/page (1 à 256/264 octets) directement dans la mémoire principale
● Écrire dans le tampon
● Buffer vers le programme de la page mémoire principale
● Des options de suppression flexibles
● Effacement de page (256/264 octets)
● Effacement de bloc (2KB)
● Effacement du secteur (64KB)
● Effacement des puces (4 Mbits)
● Programmer et effacer suspendre/reprendre
● Fonctionnalités de protection des données avancées en matériel et en logiciel
● Protection du secteur individuel
● Fermeture individuelle du secteur pour rendre tout secteur en lecture seule en permanence
● Registre de sécurité à 128 octets, programmable une seule fois (OTP)
● 64 octets d'usine programmés avec un identifiant unique
● 64 octets programmables par l'utilisateur
● Options de réinitialisation contrôlées par matériel et logiciel
● Lecteur de l'identifiant du fabricant et de l'identifiant du dispositif selon la norme JEDEC
● Dissipation à faible consommation
● courant de décharge ultra-profonde de 400nA (typique)
● 3 μA de courant à basse tension (typique)
● courant de veille de 25 μA (typique)
● courant actif de lecture de 7 mA (typiquement @ 15 MHz)
● Durée de vie: au moins 100.000 cycles de programmation/effacement par page.
● Conservation des données: 20 ans
● Conforme à toute la plage de température industrielle
● Options d'emballage écologique (sans Pb/halogénure/conforme à la RoHS)
● SOIC à 8 conduits (0,150 pouces de large et 0,208 pouces de large)
● Un DFN ultra-mince à 8 plaquettes (5 x 6 x 0,6 mm)
● Paquet de puces à échelle de plaquette à huit boules
● Déterrer sous forme de gaufre ((1)