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IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

  • IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nom de marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR Capacité de la mémoire 256Mbit
Organisation de mémoire 16M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 166 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 700 picosecondes Voltage - alimentation 2.3V | 2.7V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 66-TSSOP (0,400", largeur de 10.16mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 66-TSOP II
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Part Number Description
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800A-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800C-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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Description de produit

Détails du produit

Caractéristiques

● Voltage standard: VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
● Basse tension (L): VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rétrospectivement compatible à 1,5 V
● Rapides transferts de données avec système
fréquence jusqu'à 933 MHz
● 8 banques internes pour une opération simultanée
● Architecture de pré-remplacement 8n-bits
● La latence CAS programmable
● La latence additive programmable est de 0, CL-1, CL-2
● La latence d'écriture CAS (CWL) programmable basée sur tCK
● Longueur des rafales programmable: 4 et 8
● Séquence d'explosion programmable: séquentielle ou intercalaire
● Commutateur BL à la volée
● Autorefraîchissement automatique (ASR)
● Température de rafraîchissement automatique
● Intervalle de mise à jour:
7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C à 85°C
3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 105°C
● Réglage partiel
● Une broche de redémarrage asynchrone
● TDQS (Termination Data Strobe) pris en charge (x8 uniquement)
● OCD (réglage de l'impédance du pilote hors puce)
● ODT dynamique (termination immédiate)
● Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 )
● Écrire le niveau
● Jusqu'à 200 MHz en mode DLL éteint
● Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux (TC = 0°C à +95°C)
Industrie (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 66-TSSOP (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.3 V ~ 2,7 V
Produit fourni par le fournisseur 66-TSOP II
Capacité de mémoire 256 M (16 M x 16)
Type de mémoire REM DDR SDR
Vitesse 166 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR IC 256 Mb (16M x 16) parallèle 166MHz 700ps 66-TSOP II
La carte SDRAM est une carte SDRAM de 256 Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II
DRAM 256M, 2,5 V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI