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71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALÈL 44SOJ Renesas Electronics America Inc.
| Nom de marque | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| Numéro de modèle | Le nombre de points de contact est le suivant: |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Asynchrone | Capacité de la mémoire | 4Mbit |
| Organisation de mémoire | 256K x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | - | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 NS | Voltage - alimentation | 3V à 3,6V |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 44-BSOJ (0,400", largeur de 10.16mm) | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 44-SOJ |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V416S15YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416S12YGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S12YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S15YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S15YGI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71016S20YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA12YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V016SA15YG8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| 71016S12YG | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S12YGI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71016S12YI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71016S12YI8 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416YS12Y8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416YS15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| IDT71V416YS15YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
Description de produit
Détails du produit
Définition
L'IDT71V416 est un 4,194La RAM statique à haute vitesse de 304 bits est organisée en 256K x 16. Elle est fabriquée en utilisant la technologie CMOS haute performance et fiable.combiné à des techniques innovantes de conception de circuits, fournit une solution rentable pour les besoins de mémoire haute vitesse.L'IDT71V416 dispose d'une broche d'activation de sortie qui fonctionne aussi vite que 5ns, avec des temps d'accès à l'adresse aussi rapides que 10ns.Toutes les entrées et sorties bidirectionnelles de l'IDT71V416 sont compatibles avec LVTTL et fonctionnent à partir d'une seule 3L'alimentation est de 3 V. Il est utilisé un circuit asynchrone entièrement statique, qui ne nécessite pas d'horloges ou de rafraîchissement pour fonctionner.
Caractéristiques
◆ 256K x 16 RAM CMOS statique haute vitesse avancée◆ JEDEC Center Power / GND pour réduire le bruit.
◆ Accès égal et temps de cycle
¢ Commercial et industriel: 10/12/15 ans
◆ Une puce Select plus une broche Output Enable
◆ Les entrées et sorties bidirectionnelles de données directement compatibles avec LVTTL
◆ Faible consommation électrique grâce à la désactivation des puces
◆ Les broches permettant l'utilisation des octets supérieur et inférieur
◆ Une seule alimentation de 3,3 V
◆ Disponible dans un emballage en plastique SOJ de 44 broches et 400 millimètres et un emballage TSOP de type II de 44 broches et 400 millimètres ainsi qu'une grille à billes de 48 broches et un emballage de 9 mm x 9 mm.
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Systèmes de circuits intégrés |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | Pour les appareils à commande numérique |
| Le type | Asynchrone |
| Emballage | Emballage de remplacement |
| Mode de montage | DSM/SMT |
| Boîtier de colis | 44-BSOJ (0,400", largeur de 10,16 mm) |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 3 V à 3,6 V |
| Produit fourni par le fournisseur | 44-SOJ |
| Capacité de mémoire | 4M (256K x 16) |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchrone |
| Vitesse | 15 ans |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Format-mémoire | La RAM |
| Température de fonctionnement maximale | + 70 °C |
| Plage de température de fonctionnement | 0 C |
| Type d'interface | Parallèlement |
| Organisation du projet | 256 k x 16 |
| Le courant d'approvisionnement maximal | 170 mA |
| Partie #-Alias | Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise. |
| Voltage d'alimentation maximal | 3.6 V |
| Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. | 3 V |
| Boîtier de colis | Soj-44 |
| Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
| Le numéro d'immatriculation du véhicule est: La mémoire |
Soj-44, tube | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de l'analyse est le résultat de l'analyse. |
| Le nombre de points de contact est le suivant: La mémoire |
SOJ-44, rouleau | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de cette analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'analyse. |
| Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe. La mémoire |
256KX16 SRAM standard, 15 ns, PDSO44, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-44 | Rochester Electronics LLC est une société | Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé en fonction de la fréquence de production. |
| Les données de l'établissement doivent être fournies conformément à l'annexe I, partie B, du présent règlement. La mémoire |
256KX16 SRAM standard, 15 ns, PDSO44, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-44 | Rochester Electronics LLC est une société | Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire de référence. |
| Le nombre de personnes concernées est déterminé en fonction de la catégorie de personnes concernées. La mémoire |
Soj-44, tube | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de cette analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'analyse. |
| Pour l'utilisation des appareils électroménagers: La mémoire |
SRAM standard, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pouces, SOJ-44 | Alliance mémoire inc. | Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodromes de type A, de type A, de type B, de type C ou de type D. |
| Les données relatives à l'utilisation du système de contrôle de la qualité sont fournies à l'autorité compétente. La mémoire |
SRAM standard, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-44 | Alliance mémoire inc. | Le nombre de points de contact est calculé en fonction du nombre de points de contact. |
| Pour les appareils à commande numérique: La mémoire |
SRAM standard, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-44 | Alliance mémoire inc. | Le système d'aéroglisseur est équipé d'un système d'aéroglisseur. |
| Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: La mémoire |
La RAM standard est de 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pouces, plastique, SOJ-44. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé en fonction de la fréquence de production. |
| Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation de l'entreprise. La mémoire |
La RAM standard est de 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pouces, plastique, SOJ-44. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de l'analyse est le résultat d'une analyse de l'indicateur de charge. |
Décrits
SRAM - mémoire asynchrone IC de 4 Mb (256 K x 16) parallèle 15ns 44-SOJ
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3,3 V CMOS SRAM, qui est utilisé pour la mise en œuvre de l'opération
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