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AT45DB041E-SHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC Renesas Design Germany GmbH

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Non-volatile | Format de mémoire | Flash |
---|---|---|---|
Technologie | Flash | Capacité de la mémoire | 4Mbit |
Organisation de mémoire | 264 octets x 2048 pages | Interface de mémoire | SPI |
Fréquence du signal d'horloge | 85 mégahertz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 8 μs, 3 ms |
Temps d'accès | - | Voltage - alimentation | 1.65V | 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 8-SOIC (0,209", largeur de 5.30mm) | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 8-SOIC |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
---|---|---|
AT45DB041E-SHN-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHN-T | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHN-B | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHD-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHF-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHN-B | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB321E-SHF-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB321E-SHF2B-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHFHJ-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHD-B | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB641E-SHN2B-T | IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB321E-SHF-B | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB641E-SHN-T | IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHF-B | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB641E-SHN-B | IC FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHN2B-T | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHN-B | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHFHA-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHF-B | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHNHA-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHN2B-T | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHNHA-T | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHNHT-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHF-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ161-SHF2B-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DB321E-SHFHA-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHFHD-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ161-SHFHB-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ321-SHF2B-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHFHJ-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ321-SHF-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHNHA-T | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHN-T | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB021E-SHNHC-T | IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHN2B-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SHNHC-T | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB041E-SSHNHT-B | IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB081E-SHNHC-T | IC FLASH 8MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHF2B-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHF-B | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DB161E-SHFHC-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT26DF081A-SSU | IC FLASH 8MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT26DF081A-SU | IC FLASH 8MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT26DF161-SU | IC FLASH 16MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT26DF161A-SU | IC FLASH 16MBIT SPI 70MHZ 8SOIC | |
AT26DF321-SU | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT26F004-SU | IC FLASH 4MBIT SPI 33MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-B | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB021D-SH-B | IC FLASH 2MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU | IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-2.5 | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU | IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-2.5 | IC FLASH 8MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB161D-SU | IC FLASH 16MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB161D-SU-2.5 | IC FLASH 16MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-2.5 | IC FLASH 32MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB021D-SH-T | IC FLASH 2MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-T | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-SL954 | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-SL954 | IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-SL954 | IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-SL954 | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-2.5-AD | IC FLASH 8MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB321E-SHFHC-T | IC FLASH 32MBIT SPI 85MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-SL955 | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-2.5-SL383 | IC FLASH 4MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-SL383 | IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB041D-SU-SL955 | IC FLASH 4MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-2.5-SL383 | IC FLASH 8MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-SL383 | IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB081D-SU-SL955 | IC FLASH 8MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-2.5-SL383 | IC FLASH 32MBIT SPI 50MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-SL383 | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB321D-SU-SL955 | IC FLASH 32MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DQ161-SHD2B-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ161-SHD-B | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ161-SHD-T | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC | |
AT45DQ321-SHD2B-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHD-B | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHD-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SHET-T | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DQ321-SHFHK-T | IC FLASH 32MBIT SPI 104MHZ 8SOIC | |
AT45DB011D-SH-T-AD | IC FLASH 1MBIT SPI 66MHZ 8SOIC | |
AT45DB161E-SHD2B-T | IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
Description de produit
Détails du produit
[adésto]
Définition
L'AT45DB041E est une mémoire flash d'accès séquentiel à interface série de 1,65 V minimum, idéale pour une grande variété d'applications de voix numérique, d'image, de code de programme et de stockage de données.L'AT45DB041E prend également en charge l'interface série RapidS pour les applications nécessitant un fonctionnement à très haute vitesseIl est à 4 heures.194En plus de la mémoire principale, l'AT45DB041E contient également deux tampons SRAM de 256/264 octets chacun.Les tampons permettent de recevoir des données pendant qu'une page dans la mémoire principale est reprogrammée.L'intercalage entre les deux tampons peut augmenter considérablement la capacité du système à écrire un flux de données continu.et l'émulation E2PROM (altérabilité en bits ou en octets) peut être facilement gérée avec une opération de lecture-modification-écriture en trois étapes autonome.
Caractéristiques
● alimentation unique de 1,65 V à 3,6 V● Interface périphérique en série (SPI) compatible
● Prend en charge les modes SPI 0 et 3
● Prend en charge le fonctionnement RapidSTM
● Possibilité de lecture continue de l'ensemble du tableau
● Jusqu'à 85 MHz
● Option de lecture à faible puissance jusqu'à 15 MHz
● Temps d'horloge à sortie (tV) de 6 ns maximum
● Taille de page configurable par l'utilisateur
● 256 octets par page
● 264 octets par page (par défaut)
● La taille de la page peut être préconfigurée en usine pour 256 octets
● Deux tampons de données SRAM totalement indépendants (256/264 octets)
● Permet de recevoir des données tout en reprogrammant le tableau de mémoire principal
● Options de programmation flexibles
● Le programme par octet/page (1 à 256/264 octets) directement dans la mémoire principale
● Écrire dans le tampon
● Buffer vers le programme de la page mémoire principale
● Des options de suppression flexibles
● Effacement de page (256/264 octets)
● Effacement de bloc (2KB)
● Effacement du secteur (64KB)
● Effacement des puces (4 Mbits)
● Programmer et effacer suspendre/reprendre
● Fonctionnalités de protection des données avancées en matériel et en logiciel
● Protection du secteur individuel
● Fermeture individuelle du secteur pour rendre tout secteur en lecture seule en permanence
● Registre de sécurité à 128 octets, programmable une seule fois (OTP)
● 64 octets d'usine programmés avec un identifiant unique
● 64 octets programmables par l'utilisateur
● Options de réinitialisation contrôlées par matériel et logiciel
● Lecteur de l'identifiant du fabricant et de l'identifiant du dispositif selon la norme JEDEC
● Dissipation à faible consommation
● courant de décharge ultra-profonde de 400nA (typique)
● 3 μA de courant à basse tension (typique)
● courant de veille de 25 μA (typique)
● courant actif de lecture de 7 mA (typiquement @ 15 MHz)
● Durée de vie: au moins 100.000 cycles de programmation/effacement par page.
● Conservation des données: 20 ans
● Conforme à toute la plage de température industrielle
● Options d'emballage écologique (sans Pb/halogénure/conforme à la RoHS)
● SOIC à 8 conduits (0,150 pouces de large et 0,208 pouces de large)
● Un DFN ultra-mince à 8 plaquettes (5 x 6 x 0,6 mm)
● Paquet de puces à échelle de plaquette à huit boules
● Déterrer sous forme de gaufre ((1)
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Je vous en prie. |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | - |
Emballage | Emballage de remplacement |
Boîtier de colis | 8-SOIC (0,209", largeur de 5,30 mm) |
Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TC) |
Interface | SPI, RapidS |
Appareil de régulation de la tension | 1.65 V à 3.6 V |
Produit fourni par le fournisseur | 8-SOIC |
Capacité de mémoire | 4M (2048 pages x 264 octets) |
Type de mémoire | Les données flash |
Vitesse | 85 MHz |
Format-mémoire | Flash |
Composant fonctionnel compatible
Forme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
Le nombre d'équipements à transporter La mémoire |
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. | Société Atmel | Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire. La mémoire |
Flash, 4MX1, PDSO8, 0,150 pouces, vert, en plastique, SOIC-8 | Winbond électronique Corp. | AT45DB041E-SHN-T contre W25X40CLSNIG |
Le numéro de téléphone de l'établissement est: La mémoire |
Flash, 4MX1, PDSO8, SOIC-8 est un composé chimique | La société Adesto Technologies | Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la durée de travail. |
Le numéro de téléphone de l'établissement est le numéro de téléphone de l'établissement. La mémoire |
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. | La société Adesto Technologies | Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la durée de travail. |
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement. La mémoire |
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. | La société Adesto Technologies | Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la durée de travail. |
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. La mémoire |
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. | La société Adesto Technologies | Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement. |
Le nombre de points de contrôle doit être fixé à la valeur de l'échantillon. La mémoire |
Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. | Société Atmel | Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. La mémoire |
Flash, 64MX1, PDSO8, SOIC-8 est un système de détection de la pollution atmosphérique | Winbond électronique Corp. | AT45DB041E-SHN-T contre W25Q64FWSSIG |
Les mesures de sécurité doivent être appliquées conformément à l'annexe II. La mémoire |
Le système d'alarme est équipé d'un écran de 4 M × 1 FLASH de 2,7 V PROM, PDSO8, 5 X 6 MM, conforme à la réglementation ROHS, MS-012AA, SOIC-8. | Microchip Technology Inc. est une société | Les mesures de contrôle doivent être prises en tenant compte de l'expérience acquise par les autorités compétentes. |
Décrits
Mémoire flash IC 4 Mb (264 octets x 2048 pages) SPI 85 MHz 8-SOIC
NOR Flash Serial-SPI 1.8V 4M-bit 512K x 8 7ns 8-Pin SOIC EIAJ T/R
Mémoire flash 4M, 85MHz 1,65-3,6V Données flash
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