DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP Analog Devices Inc./Maxim intégré

Nom de marque Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire NVSRAM
Technologie NVSRAM (SRAM non-volatile) Capacité de la mémoire 1Mbit
Organisation de mémoire 128K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 70ns
Temps d'accès 70 NS Voltage - alimentation 4.5V à 5.5V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier module 34-PowerCap™ Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Module de capteur de puissance 34
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Part Number Description
DS1345YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-150 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-100 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70 IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330WP-100IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330YP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1245WP-150 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1245YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-100 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70 IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-100IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345YP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70IND IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-100 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70 IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-100IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350WP-150IND IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1345WP-150+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1330ABP-100+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1345ABP-70+ IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350ABP-70+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250ABP-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1230ABP-70IND+ IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
DS1250YP-100+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS3065WP-100IND+ IC NVSRAM 8MBIT PAR 34PWRCAP
DS1250WP-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP
DS1350YP-70+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1245WP-100IND+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1250ABP-100+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1350WP-100IND+ IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330ABP-70IND+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
DS1245ABP-70+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1345WP-100+ IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
DS1330YP-100+ IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition

Les SRAM DS1345 1024k NV sont 1,048,576 bits, entièrement statiques, NV SRAMs organisés comme 131.072 mots par 8 bits.Chaque SRAM NV est équipée d'une source d'énergie lithium autonome et d'un circuit de commande qui surveille constamment le VCC pour détecter une condition hors tolérance.Lorsque cette condition se produit, la source d'énergie au lithium est automatiquement activée et la protection d'écriture est activée sans condition pour empêcher la corruption des données.les dispositifs DS1345 disposent de circuits dédiés pour la surveillance de l'état du VCC et de l'état de la batterie au lithium interne.

Caractéristiques

■ 10 ans de conservation minimale des données en l'absence d'alimentation externe
■ Les données sont automatiquement protégées en cas de panne de courant
■ Le moniteur d'alimentation réinitialise le processeur en cas de perte de puissance VCC et maintient le processeur en réinitialisation pendant la montée en puissance VCC
■ Le moniteur de batterie vérifie quotidiennement la capacité restante
■ Temps d'accès à la lecture et à l'écriture de 70 ns
■ Durée d'écriture illimitée
■ courant de veille typique de 50 μA
■ Mise à niveau vers 128k x 8 SRAM, EEPROM ou Flash
■ La batterie au lithium est déconnectée électriquement pour conserver sa fraîcheur jusqu'à la première mise sous tension
■ une plage de fonctionnement VCC complète de ±10% (DS1345Y) ou une plage de fonctionnement VCC facultative de ±5% (DS1345AB)
■ Plage de température industrielle facultative de -40°C à +85°C, désignée IND
■ Le module PowerCap (PCM) est un ensemble
- Module directement monté à la surface
- PowerCap remplaçable fournit une batterie de secours au lithium
- Pinout normalisé pour tous les produits SRAM non volatils (NV)
Nom?

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Maxime intégré
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Le numéro de série:
Emballage Tuyaux
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis Le module 34-PowerCap?
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 4.5 V ~ 5.5 V
Produit fourni par le fournisseur Module de capteur de puissance 34
Capacité de mémoire 1M (128K x 8)
Type de mémoire Les appareils de surveillance de l'environnement doivent être équipés d'un système de surveillance de l'environnement.
Vitesse 70 ans
Temps d'accès 70 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 70 °C
Plage de température de fonctionnement 0 C
Courant d'alimentation en fonctionnement 85 mA
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 128 k x 8
Partie #-Alias Le nombre d'établissements de traitement doit être déterminé en tenant compte de l'expérience acquise.
Largeur du bus de données 8 bits
Voltage d'alimentation maximal 5.5 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 4.5 V
Boîtier de colis Module PowerCap 34

Décrits

NVSRAM (SRAM non volatile) mémoire IC 1 Mb (128 K x 8) parallèle 70ns 34-PowerCap module
NVRAM 1024K NV SRAM avec moniteur à batterie