CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ Infineon Technologies est une société américaine basée à New York.

Nom de marque Infineon Technologies
Numéro de modèle Les données de l'établissement doivent être fournies conformément à l'annexe I, partie B, du règleme
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone Capacité de la mémoire 1Mbit
Organisation de mémoire 64K X 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 10ns
Temps d'accès 10 ns Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 44-BSOJ (0,400", largeur de 10.16mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 44-SOJ
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Part Number Description
CY7C1021DV33-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021DV33-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041B-15VC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BV33-15VC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G30-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021D-10VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-15VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-15VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020D-10VXI IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-12VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE-10VXI CY7C1041GE - STANDARD SRAM, 256K
CY7C1041G-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-12VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-15VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-10VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020B-12VXCT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020DV33-10VXI IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020BN-12VXC IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BV33-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020BN-12VXCT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNL-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNL-15VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BV33-10VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BN-15VXE IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021D-10VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020D-10VXIT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-15VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-12VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GN30-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GN30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GN-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GN-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G18-15VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041G18-15VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041GE30-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7S1041G30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7S1041G30-10VXIT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021D-10VXIT SRAM - ASYNCHRONOUS MEMORY IC 1M
CY7S1041G30-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041DV33-10VXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-15VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BV33-10VC IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ
CY7C1021BV33-12VC IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ
CY7C1041B-15VC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BV33-15VC IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ
CY7C1021CV33-10VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-12VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-15VC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-15VC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-10VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-12VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021CV33-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020B-12VXC IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020B-12VXCT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021B-12VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020BN-12VXC IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020BN-12VXCT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BN-15VXE IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BN-15VXET IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-10VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-10VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXC IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXCT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1021BNV33L-15VXIT IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNL-20VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNL-20VXCT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-12VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-12VXCT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-15VXC IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041BNV33L-15VXCT IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020DV33-10VXI IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1020DV33-10VXIT IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-20VXE IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
CY7C1041CV33-20VXET IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
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Description de produit

Détails du produit

Description fonctionnelle [1]

Le CY7C1021DV33 est une mémoire vive statique CMOS haute performance organisée en 65 536 mots par 16 bits.Cet appareil dispose d'une fonction d'arrêt automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsqu'il est désactivé.

Caractéristiques

• Plage de température
Pour l'industrie: de 40 à 85 °C
¥ Automobile-A: ¥ 40°C à 85°C
¥ Automobile-E: ¥ 40°C à 125°C
• Compatible avec les broches et les fonctions CY7C1021CV33
• Haute vitesse
¢ tAA = 10 ns
• Faible puissance active
¢ CCI = 60 mA @ 10 ns
• Faible puissance en mode veille CMOS
¢ ISB2 = 3 mA
• Rétention de données de 2,0 V
• Arrêt automatique de l'alimentation lorsque cette option est désactivée
• CMOS pour une vitesse/puissance optimale
• Contrôle indépendant des bits supérieur et inférieur
• Disponible dans les paquets SOJ moulé de 44 broches de 400 milles de largeur, TSOP II de 44 broches et VFBGA de 48 boules sans Pb

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Cypress Semiconductor
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Le type Asynchrone
Emballage Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis 44-BSOJ (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur 44-SOJ
Capacité de mémoire 1M (64K x 16)
Type de mémoire SRAM - Asynchrone
Vitesse 10 ans
Taux de données Les DTS
Temps d'accès 10 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 64 k x 16
Le courant d'approvisionnement maximal 60 mA
Voltage d'alimentation maximal 3.6 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 3 V
Boîtier de colis Soj-44
Fréquence d'horloge maximale 100 MHz

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Les produits de base sont les suivants:
La mémoire
La RAM standard, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme à la réglementation ROHS, est fournie par SOJ-44. Technologie GSI Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
Le nombre total d'émissions de CO2 est estimé à:
La mémoire
La RAM standard, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme à la réglementation ROHS, est fournie par SOJ-44. Technologie GSI Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel le véhicule est situé.
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
La mémoire
La RAM standard est de 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, sans plomb, 0,400 pouces, en plastique, MS-027, SOJ-44. Solution intégrée au silicium Inc. Les résultats de l'analyse sont publiés dans le rapport annuel annuel annuel annuel.
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
La mémoire
SRAM standard, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-44 Cypress Semiconductor Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées.
Les données relatives à l'utilisation du système d'exploitation doivent être fournies à l'autorité compétente.
La mémoire
SRAM standard, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-44 Cypress Semiconductor Les données sont fournies par les autorités compétentes.
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre concerné.
La mémoire
64KX16 SRAM standard, 10ns, PDSO44, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-44 Rochester Electronics LLC est une société Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire de référence.
Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme aux exigences de la présente directive.
La mémoire
La RAM standard, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme à la réglementation ROHS, est fournie par SOJ-44. Technologie GSI Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
La mémoire
La RAM standard, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme à la réglementation ROHS, est fournie par SOJ-44. Technologie GSI Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

Décrits

SRAM - mémoire IC asynchrone 1 Mb (64K x 16) parallèle 10ns 44-SOJ
La mise à jour est effectuée par le système de commande automatique.
SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 SRAM asynchrone rapide