71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Renesas Electronics America Inc.

Nom de marque Renesas Electronics America Inc
Numéro de modèle 71V424S10YG8
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone Capacité de la mémoire 4Mbit
Organisation de mémoire 512K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 10ns
Temps d'accès 10 ns Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 36-BSOJ (0,400", largeur de 10.16mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 36-SOJ
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Part Number Description
71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S10YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YG IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128BLL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61C5128AL-10KLI-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV5128EDBLL-10KLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61WV2568EDBLL-10KLI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV2568L-10KLI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ
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IS61LV5128AL-10K IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IS61LV5128AL-10K-TR IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424S15YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
71V424L15YGI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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71V424L10YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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71V424L12YGI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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71V424S12YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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IDT71V424S12YI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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IDT71V424S15YI8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
IDT71V424YS12Y IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition

L'IDT71V424 est un 4,194La RAM statique à haute vitesse de 304 bits organisée en 512K x 8 est fabriquée à l'aide de la technologie CMOS de haute performance et de haute fiabilité d'IDT.combiné à des techniques innovantes de conception de circuits, fournit une solution rentable pour les besoins de mémoire haute vitesse.

Caractéristiques

◆ 512K x 8 RAM statique CMOS haute vitesse avancée
◆JEDEC Center Power / GND pour réduire le bruit
◆Accès égal et temps de cycle
¢ Commercial et industriel: 10/12/15 ans
◆Alimentation électrique unique de 3,3 V
◆Une puce Select plus une broche Output Enable
◆Les entrées et sorties bidirectionnelles de données directement compatibles avec TTL
◆Faible consommation d'énergie par désélection de la puce
◆Disponible dans un emballage en plastique SOJ de 36 broches et 400 millimètres et dans un emballage TSOP de 44 broches et 400 millimètres.

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Systèmes de circuits intégrés
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Pour les appareils électroniques
Le type Asynchrone
Emballage Emballage de remplacement
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis 36-BSOJ (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur 36-SOJ
Capacité de mémoire 4M (512K x 8)
Type de mémoire SRAM - Asynchrone
Vitesse 10 ans
Temps d'accès 10 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 70 °C
Plage de température de fonctionnement 0 C
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 512 k x 8
Le courant d'approvisionnement maximal 180 mA
Partie #-Alias Le numéro de série est le numéro d'identification de l'appareil.
Voltage d'alimentation maximal 3.6 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 3 V
Boîtier de colis Soj-36
Composant fonctionnel compatibleForme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Pour les appareils à commande numérique, le numéro de série de l'appareil doit être le suivant:
La mémoire
La RAM standard est de 512 KX8, 10 ns, CMOS, PDSO36, 0,400 pouces, plastique, SOJ-36. Samsung Semi-conducteurs Le résultat de cette analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'équipement.
Le nombre total de personnes concernées par le traitement est fixé à:
La mémoire
SOJ-36, rouleau Technologie des appareils intégrés Inc. Le nombre de points d'intervention est le suivant:
Pour l'utilisation des appareils électroménagers, les caractéristiques suivantes doivent être respectées:
La mémoire
SRAM standard, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-36 Alliance mémoire inc. Le système d'aéroglisseur doit être équipé d'un système d'aéroglisseur.
Le nombre total de personnes concernées est de:
La mémoire
SOJ-36, rouleau Technologie des appareils intégrés Inc. Le résultat de cette analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'analyse.
Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
La mémoire
La RAM standard est de 512 KX8, 10 ns, CMOS, PDSO36, 0,400 pouces, sans plomb, en plastique, MS-027, SOJ-36. Solution intégrée au silicium Inc. Le résultat de cette analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'analyse de l'échantillon.
Pour les appareils à commande numérique, le numéro d'immatriculation doit être le suivant:
La mémoire
SRAM standard, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0,400 pouces, sans plomb, SOJ-36 Alliance mémoire inc. Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodromes de type A.
Pour l'utilisation des appareils électroménagers
La mémoire
La mémoire SRAM standard est de 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36. Alliance mémoire inc. Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un dispositif de contrôle de l'équipement.

Décrits

SRAM - mémoire IC asynchrone de 4 Mb (512K x 8) parallèle 10ns 36-SOJ
La RAM 512Kx8 est une RAM CMOS asynchrone de 3,3 V.