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W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Électronique de Winbond
| Nom de marque | Winbond Electronics |
|---|---|
| Numéro de modèle | W29N01HVSINA |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
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Whatsapp:0086 18588475571
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Non-volatile | Format de mémoire | Flash |
|---|---|---|---|
| Technologie | ÉCLAIR - NON-ET (SLC) | Capacité de la mémoire | 1Gbit |
| Organisation de mémoire | 128M x 8 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | - | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 25ns |
| Temps d'accès | 25 NS | Voltage - alimentation | 2.7V à 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largeur) | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 48-TSOP |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W29N08GVSIAA | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT | |
| W29N01HVSINF TR | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HVSINA TR | IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 48TSOP | |
| W29N01HZSINF TR | IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N01HVSINA | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HZSINF | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HZSINA TR | IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N01HZSINA | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N02KVSIAE TR | IC FLASH 2GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N02KVSIAF TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N02KVSIAF | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N02KVSIAE | IC FLASH 2GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N04GVSIAF TR | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT | |
| W29N04GVSIAA | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N04GVSIAA TR | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT | |
| W29N04KZSIBG TR | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 8-BIT | |
| W29N04KZSIBF TR | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT | |
| W29N04GVSIAF | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N04KZSIBF | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 4-BIT | |
| W29N04KZSIBG | 4G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 8-BIT | |
| W29N08GVSIAA TR | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 3V, 1-BIT | |
| W29N08GZSIBF TR | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B | |
| W29N08GZSIBA TR | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 1-B | |
| W29N08GZSIBA | IC FLASH 8GBIT PAR 48TSOP | |
| W29N08GZSIBF | 8G-BIT SLC NAND FLASH, 1.8V, 4-B | |
| W29N02GVSIAA | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M28W320CT90N6 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M28W640ECB90N6 | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W800DT90N6 | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W800DB90N6T | IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW3A0AN6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW3A2AN6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W3A0AN6E | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W4A0AN6E | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A0AN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW3B2AN6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A2BN6E | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W19B320ABT7H | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W19B320ATT7H | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29DW323DB90N6 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29F200BB45N1 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29F200BB50N3 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29F400BB70N3T | IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W200BB55N1 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W200BB90N1 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W200BB90N6 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| M29W200BT55N1 | IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW3B2AN6F | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND01GW4B2AN6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND02GW3B2AN6F | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND128W3A0AN6 | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND128W3A0AN6E | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND128W3A0AN6F | IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W3A0AN6 | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W3A0AN6F | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND256W3A2BN6F | IC FLASH 256MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A0AN6 | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| NAND512W3A2BN6F | IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W19B320BTT7H | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29GL064CB7S | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29GL064CT7S | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29GL032CT7S | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29GL032CB7S | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01GVSIAA | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HVSINF | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N02GVSIAF | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HWSINF TR | IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP | |
| W29N01HWSINF | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HWSINA | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP | |
| W29N01HWSINA TR | IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP |
Description de produit
Détails du produit
Définition générale
Le W29C040 est une mémoire flash en mode CMOS de 4 mégaoctets et 5 volts organisée en 512K ́8 bits.Un VPP de 12 volts n'est pas nécessaireL'architecture de cellule unique du W29C040 permet des opérations d'écriture (effacement/programme) rapides avec une consommation de courant extrêmement faible (par rapport à d'autres produits de mémoire flash de 5 volts comparables).) L'appareil peut également être effacé et programmé à l'aide de programmeurs EPROM standard.
Caractéristiques
· Opérations d'écriture (effacement et programmation) simples à 5 volts· Opérations d'écriture rapide
- 256 octets par page
- Cycle d'écriture (effacement/programme) de page: 5 ms (typiquement)
- Durée effective du cycle d'écriture (effacement/programme): 19,5 ms
- Écriture optionnelle des données protégées par logiciel
· Opération rapide d'effacement des puces: 50 mS
· Deux blocs de démarrage de 16 KB avec verrouillage
· Cycles d'écriture (effacement/programme) de page: 50K (typiquement)
· Temps d'accès à la lecture: 70/90/120 nS
· Rétention des données pendant dix ans
· Protection des données logicielles et matérielles
· Faible consommation d'énergie
- courant actif: 25 mA (typiquement)
- courant de veille: 20 mA (typiquement)
·Temps d'écriture (effacement/programme) automatique avec génération interne de VPP
· Détection de fin d'écriture (effacement/programme)
- Un peu de basculement.
- Des sondages de données
· Adresse et données verrouillées
· Toutes les entrées et sorties sont directement compatibles TTL
· Pinouts à largeur d'octet standard JEDEC
· Packs disponibles: 32 broches 600 mil DIP, TSOP et PLCC
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Électronique Winbond |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | Plateau |
| Boîtier de colis | 48-TFSOP (0,488", largeur 12,40 mm) |
| Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Le nombre d'équipements à transporter est déterminé par le système de mesure. |
| Capacité de mémoire | 1G (128M x 8) |
| Type de mémoire | Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe. |
| Vitesse | 25 ans |
| Format-mémoire | Flash |
Décrits
Flash - NAND (SLC) mémoire IC 1Gb (128M x 8) parallèle 25ns 48-TSOP (18.4x12)
NAND Flash 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I
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