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IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM - LPDDR mobile |
MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile et de téléphonie mobile.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NON-ET |
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4 GBIT PAR 1,2 GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM - DDR4 |
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALÈL 60FBGA Micron Technology Inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM-DDR |
SST25VF010A-33-4I-QAE IC FLASH 1MBIT SPI 33MHZ 8WSON Technologie à puce
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | Flash |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64LBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'un appareil qui est équipé d'un écran de commande à distance.
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |
IS62WV5128BLL-55HLI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP I ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
IS62C1024AL-35TLI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | SRAM |
| Technologie: | SRAM - Asynchrone |
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALÈL 60FBGA Micron Technology Inc.
| Type de mémoire: | Volatil |
|---|---|
| Format de mémoire: | DRACHME |
| Technologie: | SDRAM-DDR2 |
W25Q128JVCIQ TR IC FLASH 128MBIT SPI 24TFBGA Électronique Winbond
| Type de mémoire: | Non-volatile |
|---|---|
| Format de mémoire: | Flash |
| Technologie: | ÉCLAIR - NI |