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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4 GBIT PAR 1,2 GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.

  • MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT40A1G4RH-083E : B
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR4 Capacité de la mémoire 4Gbit
Organisation de mémoire 1G x 4 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 1,2 gigahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès - Voltage - alimentation 1.14V | 1.26V
Température de fonctionnement 0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 78-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 78-FBGA (9x10.5)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AAT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E AUT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A512M8RH-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT40A1G4RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
MT40A512M8RH-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition

Ces compresseurs de tension transitoire de 1500 watts offrent des capacités de traitement de la puissance que l'on ne trouve que dans les paquets plus grands.Ils sont le plus souvent utilisés pour protéger contre les transitoires provenant d'environnements de commutation inductive ou d'effets de foudre secondaires induits tels que ceux trouvés dans les niveaux de surtension inférieurs de la norme IEC61000-4-5.Avec des temps de réaction très rapides, ils sont également efficaces pour protéger contre les ESD ou les EFT.Les caractéristiques de l'emballage Powermite® comprennent un fond entièrement métallique qui élimine la possibilité de piégeage du flux de soudure pendant l'assemblageIls offrent également un verrouillage unique qui agit comme un dissipateur de chaleur intégré.l'inductivité parasitaire est réduite au minimum pour réduire les dépassements de tension pendant les transitoires à haute tension.

Caractéristiques

• Package de montage de surface à profil très bas (1,1 mm)
• Étagères intégrées de verrouillage des dissipateurs de chaleur
• Compatible avec les équipements d'insertion automatique
• Le fond entièrement métallique élimine le piégeage du flux
• Plage de tension de 5 à 170 volts
• Disponible en unidirectionnel ou en bidirectionnel (suffixe C pour bidirectionnel)

Rating maximal

• Température de fonctionnement: -55°C à +150°C
• Température de stockage: -55°C à +150°C
• Puissance d' impulsion maximale de 1500 Watt (10 / 1000 μsec)
• Courant de surtension avant: 200 ampères à 8,3 ms (à l'exclusion bidirectionnelle)
• Taux d'augmentation de la répétition (facteur de charge): 0,01%
• Résistance thermique: 2,5°C / watt de jonction à l'écran 130°C / watt de jonction à l'environnement avec empreinte recommandée
• Température de plomb et de montage: 260°C pendant 10 secondes

Applications et avantages

• Protection contre la foudre
• Protection transitoire par commutation inductive
• Petite empreinte
• Inductivité parasitaire très faible pour un dépassement minimal de la tension
• Conforme à la norme IEC61000-4-2 et à la norme IEC61000-4-4 pour la protection ESD et EFT respectivement et à la norme IEC61000-4-5 pour les niveaux de surtension définis dans le présent document

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis Pour les appareils de traitement de l'air
Température de fonctionnement 0°C à 95°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 1.14 V ~ 1.26 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 4G (1G x 4)
Type de mémoire REM SDR4 DDR4
Vitesse 18 ans
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR4 IC 4Gb (1G x 4) parallèle à 1,2 GHz 78-FBGA (9x10.5)
La carte SDRAM est une carte SDRAM de type DDR4
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI