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MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALÈL 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle SERVICE INFORMATIQUE DE MT46V16M16CY-5B : M
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR Capacité de la mémoire 256Mbit
Organisation de mémoire 16M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 200 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 700 picosecondes Voltage - alimentation 2.5V ~ 2.7V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 60-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
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Part Number Description
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B IT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16BN-5B:F TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16BN-6:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16CY-5B:K TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-6 IT:K TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16CY-6:K TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V16M16CY-5B:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M8CY-5B:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B L:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B AAT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B XIT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B AIT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B XIT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B AAT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B AIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M8CY-5B:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B AIT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B L:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B AIT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B AAT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B AIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CY-5B AIT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B IT:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CY-5B L IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V32M16CV-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V64M8CV-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16CY-5B AAT:M TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition générale

La DDR333 SDRAM est une mémoire CMOS dynamique à accès aléatoire à grande vitesse qui fonctionne à une fréquence de 167 MHz (tCK=6ns) avec un débit de transfert de données maximal de 333 Mb/s/s.DDR333 continue d'utiliser l'interface SSTL_2 standard JEDEC et l'architecture 2n-prefetch.

Caractéristiques

• 167 MHz, débit de données de 333 Mb/s/s
•VDD = +2,5 V ±0,2 V, VDDQ = +2,5 V ±0,2 V
• Stroboscope bidirectionnel de données (DQS) transmis/reçu avec les données, c'est-à-dire capture de données synchrone source (x16 a deux - un par octet)
• Architecture interne à double débit de données (DDR); deux accès de données par cycle d'horloge
• Entrées d'horloge différentielle (CK et CK#)
• Commandes entrées sur chaque bord CK positif
• DQS aligné sur les bords avec les données pour les READ; centre aligné sur les données pour les WRITE
• DLL pour aligner les transitions DQ et DQS avec CK
• Quatre banques internes pour une opération simultanée
• Masque de données (DM) pour masquer les données d'écriture (x16 a deux - un par octet)
• Longueur des rafales programmable: 2, 4 ou 8
• Option de précharge automatique prise en charge
• Modes de mise à jour automatique et auto-actualisation
• Le paquet FBGA est disponible
• I/O de 2,5 V (compatible avec SSTL_2)
• verrouillage du tRAS (tRAP = tRCD)
• Compatible à l'arrière avec DDR200 et DDR266

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 60 - TFBGA
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.5 V ~ 2,7 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 256 M (16 M x 16)
Type de mémoire REM DDR SDR
Vitesse 5 ans
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR IC 256 Mb (16M x 16) parallèle 200MHz 700ps 60-FBGA (8x12.5)
La carte SDRAM est une carte SDRAM de 256 Mbit 16Mx16 2.6V à 60 broches FBGA
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI