MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile et de téléphonie mobile.

Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT29F128G08AMCABH2-10:A
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
Conditions de paiement T/T
Capacité d'approvisionnement En stock

Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.

x
Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire Flash
Technologie ÉCLAIR - NON-ET Capacité de la mémoire 128 Gbits
Organisation de mémoire 16G x 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 100 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès - Voltage - alimentation 2.7V à 3.6V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 100-TBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 100 TBGA (12x18)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08CKCCBH2-12:C IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCABH2-12:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-12:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F64G08AKCBBH2-12:B IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
MT29F64G08AKCBBH2-12IT:B IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
MT29F64G08AMCBBH2-12:B IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
MT29F64G08AMCBBH2-12IT:B IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AMCABH2-10Z:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F64G08AKCBBH2-12:B TR IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
MT29F64G08AMCBBH2-12:B TR IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
MT29F128G08AKCABH2-10Z:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AMCABH2-10ITZ:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AMCABH2-10Z:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCBBH2-10:B IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F64G08AKCCBH2-10Z:C IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100TBGA
MT29F128G08AKCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AKCABH2-10:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCABH2-10Z:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08CKCCBH2-12Z:C IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCABH2-10:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCBBH2-10:B IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCABH2-12:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
Laisser un message
Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Description générale

Les périphériques flash NAND Micron comprennent une interface de données asynchrone pour des opérations d'E/S de haute performance.Il y a cinq signaux de contrôle utilisés pour mettre en œuvre l'interface de données asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# et RE#. Des signaux supplémentaires contrôlent la protection contre l'écriture matérielle (WP#) et surveillent l'état de l'appareil (R/B#).

Caractéristiques

• Interface flash NAND ouverte (ONFI) conforme à la norme 2.2
• Technologie des cellules à plusieurs niveaux (MLC)
• organisation
La taille de la page x8: 8640 octets (8192 + 448 octets)
Taille du bloc: 256 pages (2048K + 112K bytes)
Taille de l'avion: 2 avions x 2048 blocs par avion
La taille de l'appareil: 64 Gb: 4096 blocs;
128 Gb: 8192 blocs;
256 Gb: 16 384 blocs;
512Gb: 32 786 blocs
• Performance d'E/S synchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation 5
Le taux d'horloge: 10ns (DDR)
Le débit de lecture/écriture par broche: 200 MT/s
• Performance d'E/S asynchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation asynchrone 5
Je ne sais pas.
Le nombre de cycles est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement.
• Performance du tableau
Lecture de la page: 50 μs (maximum)
¢ Page du programme: 1300 μs (TYP)
Bloc de suppression: 3 ms (TYP)
• Plage de tension de fonctionnement
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
‡ VCCQ: 1,7 ‡ 1,95 V, 2,7 ‡ 3,6 V
• Ensemble de commandes: protocole ONFI NAND Flash
• Un ensemble de commandes avancées
Le cache du programme
Lire le cache séquentiel
Lire le cache aléatoire

Commandes multi-avions

Lire l'ID unique

• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valable à l'expédition
Pour l'ECC minimum requis, voir
Gestion des erreurs (page 109).
• RESET (FFh) requis comme première commande après mise sous tension
sur
• Le byte d'état d'opération fournit une méthode logicielle pour
détecter
L'opération est achevée
Condition de réussite/échec
Le statut de protection contre l'écriture
• Les signaux DQS fournissent une méthode matérielle
pour la synchronisation des données DQ dans le système synchrone
interface
• Opérations de recopiement prises en charge dans l'avion
dont les données sont lues
• Qualité et fiabilité
Réservation des données: 10 ans
¢ Durée de vie: 5000 cycles de programme/effacement
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux: 0°C à +70°C
️ Industrie (IT): ️40°C à +85°C
• Forfait
LGA à 52 plaquettes
¢ TSOP à 48 broches

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Produits en vrac
Boîtier de colis 100 TBGA
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.7 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur 100 TBGA (12x18)
Capacité de mémoire 128G (16G x 8)
Type de mémoire Flash - NAND
Vitesse -
Format-mémoire Flash

Décrits

Flash - mémoire NAND IC 128Gb (16G x 8) parallèle 100MHz 100TBGA (12x18)
SLC NAND Flash parallèle/sériel 3.3V 128G-bit 16G x 8 TBGA à 100 broches