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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALÈL 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT47H128M4CF-25E:G
Quantité de commande min 1
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR2 Capacité de la mémoire 512Mbit
Organisation de mémoire 128 M x 4 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 400 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 400 picosecondes Voltage - alimentation 1.7V à 1.9V
Température de fonctionnement 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 60-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 60-FBGA (8x10)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8JN-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-187E:M TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

La mémoire SDRAM DDR2

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banques
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banques
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banques

Caractéristiques

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Émetteur/sortie de 1,8 V selon la norme JEDEC (compatible avec SSTL_18)
• Option de stroboscope différentiel de données (DQS, DQS#)
• architecture de pré-recherche 4n-bits
• Option de rétroéclairage à sortie double (RDQS) pour x8
• DLL pour aligner les transitions DQ et DQS avec CK
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• latence CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• RÉCITER la latence = LIRE la latence - 1 tCK
• Longueur d'éclatation sélectionnable (BL): 4 ou 8
• Puissance réglable de l'entraînement de sortie de données
• 64 ms, 8192 cycles de mise à jour
• Termination au moment de la mise au point (ODT)
• Option de température industrielle
• Option de température automobile (AT)
• Conforme à la directive RoHS
• Prend en charge les spécifications JEDEC pour le jitter d'horloge

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis 60 - TFBGA
Température de fonctionnement 0°C à 85°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,9 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 512M (128Mx4)
Type de mémoire La mémoire SDRAM DDR2
Vitesse 2.5ns
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR2 IC 512 Mb (128 M x 4) parallèle 400 MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
La carte SD est un fichier de type DDR2
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI