IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

Nom de marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Synchrone, DTS Capacité de la mémoire 9Mbit
Organisation de mémoire 256K X 36 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 200 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 3.1 ns Voltage - alimentation 3.135V à 3.465V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 100-LQFP Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
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Part Number Description
IS61NLP25636A-200TQLI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS51236B-200TQLI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP
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IS61LPS51218A-200TQLI-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
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IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
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IS61VF204836B-7.5TQLI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP
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IS61VPS204836B-250TQLI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP
IS64LPS102436B-166TQLA3 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100LQFP
IS64LPS204818B-166TQLA3 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100LQFP
IS64LF102436B-7.5TQLA3 IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100LQFP
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IS61C632A-6TQI IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61C632A-6TQI-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61C632A-7TQ IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61C632A-7TQ-TR IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP
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IS61LF102418A-7.5TQ-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF12836A-7.5TQI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF12836A-7.5TQI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF25636A-7.5TQI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF25636A-7.5TQI-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF51218A-7.5TQI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF51218A-7.5TQI-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF51236A-7.5TQI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF51236A-7.5TQI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF51236A-7.5TQLI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF51236A-7.5TQLI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF6436A-8.5TQI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LF6436A-8.5TQI-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LP6432A-133TQ IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LP6432A-133TQ-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LP6436A-133TQ IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LP6436A-133TQ-TR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPD102418A-200TQI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPD102418A-200TQI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPD51236A-200TQI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPD51236A-200TQI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS102418A-200TQ IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS102418A-200TQ-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS102418A-200TQLI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS102418A-200TQLI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS12836A-200TQI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS12836A-200TQI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS25618A-200TQI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS25618A-200TQI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS25636A-200TQI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS25636A-200TQI-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS25636A-200TQ2I IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS25636A-200TQ2I-TR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
IS61LPS51218A-200TQI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
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IS61NLF102418-7.5TQLI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP
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IS61VPS51236A-200TQLI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP
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IS61NLP204818A-166TQ IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100LQFP
IS61NLP204818A-166TQ-TR IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100LQFP
IS61NVP204836B-166TQLI IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP
IS61NVP204836B-166TQLI-TR IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP
IS61NVP102418-200TQLI-TR IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP
IS61NVP102418-200TQLI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP
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Description de produit

Détails du produit

Définition

La famille de produits 9 Meg NLP/NVP est dotée de mémoires RAM statiques synchrones à haute vitesse et à faible consommation conçues pour fournir un état d'attente explosif et haute performance,appareil destiné aux applications de réseautage et de communicationIls sont organisés en 256K mots par 36 bits et 512K mots par 18 bits, fabriqués avec la technologie CMOS avancée de l'ISSI.

Caractéristiques

• 100% d'utilisation des bus
• Aucun cycle d'attente entre lecture et écriture
• Cycle d'écriture automatique interne
• Contrôle d'écriture par octet individuel
• Un seul broche de commande R/W (lire/écrire)
• Contrôle par horloge, adresse enregistrée, données et contrôle
• Contrôle de la séquence d'éclatement linéaire ou interligée à l'aide de l'entrée MODE
• Trois puces permettent une expansion simple de la profondeur et un pipeline d'adresse
• Mode d'arrêt
• Entrées et sorties de données communes
• épingle CKE pour activer l'horloge et suspendre le fonctionnement
• JEDEC 100 broches TQFP, 165 boules PBGA et 119 boules PBGA
• alimentation électrique:
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage de freinage de freinage de freinage.
L'utilisation de l'appareil est autorisée pour les véhicules de type à moteur à combustion interne.
• JTAG Scanner de bordure pour les paquets PBGA
• Température industrielle disponible
• Disponible sans plomb

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure.
Le type Synchrone
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Unité de poids 0.023175 oz
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis 100 LQFP
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3.135 V ~ 3.465 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'heures d'essai est le suivant:
Capacité de mémoire 9M (256K x 36)
Type de mémoire SRAM - synchrone
Vitesse 200 MHz
Taux de données Les DTS
Temps d'accès 3.1 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 256 k x 36
Le courant d'approvisionnement maximal 280 mA
Voltage d'alimentation maximal 3.465 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 3.135 V
Boîtier de colis TQFP-100:
Fréquence d'horloge maximale 200 MHz

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Pour les produits à base d'huile de lin
La mémoire
La capacité de stockage de la batterie est supérieure ou égale à la capacité de stockage de la batterie. Solution intégrée au silicium Inc. Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS.
Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
La mémoire
La ZBT SRAM, 256KX36, 3,1ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de hauteur, sans plomb, TQFP-100 Solution intégrée au silicium Inc. Les résultats de l'analyse de l'indicateur de CO2 sont les suivants:

Décrits

SRAM - mémoire synchrone IC de 9 Mb (256K x 36) parallèle 200 MHz 3,1 ns 100-TQFP (14x20)
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns TQFP à 100 broches
SRAM 8Mb 256Kx36 200Mhz Sync SRAM 3,3v