MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
Quantité de commande min 1
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire Flash
Technologie ÉCLAIR - NON-ET Capacité de la mémoire 2Gbit
Organisation de mémoire 256M x 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès - Voltage - alimentation 2.7V à 3.6V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 63-VFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 63-VFBGA (9x11)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT29F2G08ABAEAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADADAH4-IT:D IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F2G08ABBGAH4-AATES:G IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F4G08ABBEAH4-IT:E IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F4G16ABAEAH4-IT:E IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABBEAH4:E IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
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MT29F2G08ABBFAH4-IT:F IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G16ABBFAH4:F IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBDAHC:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABBDAHC:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADADAH4-E:D IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABADAH4-AAT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR IC FLASH 2GBIT SPI 63VFBGA
MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABADAH4-AIT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G01AAADDH4-ITX:D TR IC FLASH 1GBIT SPI 63VFBGA
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G16ADADAH4-IT:D TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G16ABAFAH4-AIT:F IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBFAH4-AATES:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F8G08ADBFAH4-AAT:F TR IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABAFAH4-AATES:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G08ABBFAH4-AATES:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F1G16ABBFAH4-IT:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
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Description de produit

Détails du produit

Description générale

Les périphériques flash NAND Micron comprennent une interface de données asynchrone pour des opérations d'E/S de haute performance.Il y a cinq signaux de contrôle utilisés pour mettre en œuvre l'interface de données asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# et RE#. Des signaux supplémentaires contrôlent la protection contre l'écriture matérielle (WP#) et surveillent l'état de l'appareil (R/B#).

Caractéristiques

• Interface flash NAND ouverte (ONFI) conforme à la norme 2.2
• Technologie des cellules à plusieurs niveaux (MLC)
• organisation
La taille de la page x8: 8640 octets (8192 + 448 octets)
Taille du bloc: 256 pages (2048K + 112K bytes)
Taille de l'avion: 2 avions x 2048 blocs par avion
La taille de l'appareil: 64 Gb: 4096 blocs;
128 Gb: 8192 blocs;
256 Gb: 16 384 blocs;
512Gb: 32 786 blocs
• Performance d'E/S synchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation 5
Le taux d'horloge: 10ns (DDR)
Le débit de lecture/écriture par broche: 200 MT/s
• Performance d'E/S asynchrone
¢ jusqu'au mode de synchronisation asynchrone 5
Je ne sais pas.
Le nombre de cycles est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement.
• Performance du tableau
Lecture de la page: 50 μs (maximum)
¢ Page du programme: 1300 μs (TYP)
Bloc de suppression: 3 ms (TYP)
• Plage de tension de fonctionnement
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
‡ VCCQ: 1,7 ‡ 1,95 V, 2,7 ‡ 3,6 V
• Ensemble de commandes: protocole ONFI NAND Flash
• Un ensemble de commandes avancées
Le cache du programme
Lire le cache séquentiel
Lire le cache aléatoire
– One-time programmable (OTP) mode
Commandes multi-avions
– Multi-LUN operations
Lire l'ID unique
– Copyback
• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valable à l'expédition
Pour l'ECC minimum requis, voir
Gestion des erreurs (page 109).
• RESET (FFh) requis comme première commande après mise sous tension
sur
• Le byte d'état d'opération fournit une méthode logicielle pour
détecter
L'opération est achevée
Condition de réussite/échec
Le statut de protection contre l'écriture
• Les signaux DQS fournissent une méthode matérielle
pour la synchronisation des données DQ dans le système synchrone
interface
• Opérations de recopiement prises en charge dans l'avion
dont les données sont lues
• Qualité et fiabilité
Réservation des données: 10 ans
¢ Durée de vie: 5000 cycles de programme/effacement
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux: 0°C à +70°C
️ Industrie (IT): ️40°C à +85°C
• Forfait
LGA à 52 plaquettes
¢ TSOP à 48 broches
– 100-ball BGA

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Catégories La mémoire
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Série -
Emballage Plateau
Le statut de la partie Actif
Type de mémoire Non volatils
Format de mémoire Flash
Technologie Flash - NAND
Taille de la mémoire 2Gb (256M x 8)
Écrire-cycle-temps-mot-page -
Interface mémoire Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Type de montage Monture de surface
Boîtier de colis Le nombre total de pièces de rechange est le suivant:
Produit fourni par le fournisseur Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
Nombre de parties de base MT2F2G08

Décrits

Flash - mémoire NAND IC 2 Gb (256 M x 8) parallèle 63-VFBGA (9x11)
SLC NAND Flash Parallèle 3.3V 2G-bit 256M x 8 VFBGA à 63 broches