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MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256 MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.

  • MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT47H64M4BP-37E:B TR
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR2 Capacité de la mémoire 256Mbit
Organisation de mémoire 64 M x 4 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 267 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 500 picosecondes Voltage - alimentation 1.7V à 1.9V
Température de fonctionnement 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 60 FBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le système de réglage de la fréquence de l'aéronef doit être équipé d'un système de réglage de la fr
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Part Number Description
MT47H64M4BP-37E:B TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT46V128M4FN-5B:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT46H8M16LFCF-10 TR IC DRAM 128MBIT PAR 60VFBGA
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MT46V16M16FG-6 L:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
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MT47H128M4CB-37E:B IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT47H64M8CB-37V:B TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
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MT46V64M8BN-6 IT:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT46V64M8BN-6 L:F TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-37E:D TR IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-5E:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H128M4B6-3:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT46V16M16BG-6 IT:F TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8HQ-3:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4HQ-3:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H512M4THN-37E:E TR IC DRAM 2GBIT PAR 63FBGA
MT47H128M8HQ-187E:E TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4HQ-187E:E TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8B6-25E L:D TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-6A:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-7E:G TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-6A:G IC DRAM 256MBIT PAR 60FBGA
MT48LC32M8A2BB-7E:G IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

La mémoire SDRAM DDR2

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banques
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banques
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banques

Caractéristiques

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Émetteur/sortie de 1,8 V selon la norme JEDEC (compatible avec SSTL_18)
• Option de stroboscope différentiel de données (DQS, DQS#)
• architecture de pré-recherche 4n-bits
• Option de rétroéclairage à sortie double (RDQS) pour x8
• DLL pour aligner les transitions DQ et DQS avec CK
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• latence CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• RÉCITER la latence = LIRE la latence - 1 tCK
• Longueur d'éclatation sélectionnable (BL): 4 ou 8
• Puissance réglable de l'entraînement de sortie de données
• 64 ms, 8192 cycles de mise à jour
• Termination au moment de la mise au point (ODT)
• Option de température industrielle
• Option de température automobile (AT)
• Conforme à la directive RoHS
• Prend en charge les spécifications JEDEC pour le jitter d'horloge

Les spécifications

AttributValeur attribuée
Produit de fabricationMicron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produitsCircuits intégrés mémoire
Série-
EmballageEmballage de remplacement
Boîtier de colis60 FBGA
Température de fonctionnement0°C à 85°C (TC)
InterfaceParallèlement
Appareil de régulation de la tension10,7 V à 1,9 V
Produit fourni par le fournisseurLe système de réglage de la fréquence de l'aéronef doit être équipé d'un système de réglage de la fréquence de l'aéronef.
Capacité de mémoire256M (64Mx4)
Type de mémoireLa mémoire SDRAM DDR2
Vitesse3.75ns
Format-mémoireLa RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR2 IC 256 Mb (64M x 4) parallèle 267MHz 500ps 60-FBGA (8x12)
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI