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MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque | Micron Technology Inc. |
---|---|
Numéro de modèle | MT4E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E3E |
Quantité de commande min | 1 |
Prix | Based on current price |
Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
Conditions de paiement | T/T |
Capacité d'approvisionnement | En stock |

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
---|---|---|---|
Technologie | SDRAM - LPDDR mobile | Capacité de la mémoire | 512Mbit |
Organisation de mémoire | 16M x 32 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | 200 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
Temps d'accès | 5 NS | Voltage - alimentation | 1.7V | 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) | Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | 90-VFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
---|---|---|
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-8 IT TR | IC SDRAM 256MB 125MHZ 90-VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2F5-7:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-8 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-10 | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-10 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-10 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-10 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-8 | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-8 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-8 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2B5-8 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-10 | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-10 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-10 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-10 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-8 | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-8 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-8 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32L2F5-8 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-8 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-8 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-8 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFF5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-7:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2F5-6:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2F5-6:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-10 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-10:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48LC4M32LFB5-8 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFB5-8:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32LFF5-10:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48LC8M32B2B5-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2B5-7 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32B2B5-7 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48LC8M32B2F5-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48LC8M32B2F5-7 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFB5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48LC8M32LFF5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC8M32LFF5-8 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48LC8M32LFF5-8 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-10 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V4M32LFB5-8 XT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48V4M32LFF5-10 IT:G | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT48V8M32LFB5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-10 IT | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-10 IT TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFB5-10 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48V8M32LFF5-10 | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
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MT46H8M32LFB5-75:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-7:G TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-6:A TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75 IT:G TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75:G TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-5 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-6 AT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-5 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-5:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-5:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-6:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-6:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75:H TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H16M32LFB5-5 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H16M32LFB5-6 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H32M32LFB5-5 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
MT46H32M32LFB5-6 IT:B | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-5:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-6 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H4M32LFB5-6:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-6 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H8M32LFB5-6:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32LFB5-75 IT:C | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-6 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-6:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-75 AT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-75 IT:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H4M32LFB5-75:K | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-6 IT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H8M32LFB5-75 AT:H | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G | IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC2M32B2B5-7:G | IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA | |
MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
MT48LC2M32B2B5-7 IT:G TR | IC DRAM 64MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
MT48H16M32LFB5-75 IT:C TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA |
Description de produit
Détails du produit
SDRAM DDR à faible consommation mobile
Caractéristiques
• VDD/VDDQ = 1,70 à 1,95 V• Stroboscope bidirectionnel de données par octet de données (DQS)
• Architecture interne à double débit de données (DDR) en pipeline; deux accès de données par cycle d'horloge
• Entrées d'horloge différentielle (CK et CK#)
• Commandes entrées sur chaque bord CK positif
• DQS aligné sur les bords avec les données pour les READ; centre aligné sur les données pour les WRITE
• 4 banques internes pour une opération simultanée
• Masques de données (DM) pour masquer les données d'écriture; un masque par octet
• Longueur de rafale programmable (BL): 2, 4, 8 ou 16
• Option de précharge automatique simultanée est prise en charge
• Les modes de mise à jour automatique et d' auto-actualisation
• Les entrées compatibles avec LVCMOS de 1,8 V
• Autorefraîchissement compensé par la température (TCSR)
• Auto-actualisation par partiel (PASR)
• Déconnexion profonde (DPD)
• Registre de lecture de l'état (SRR)
• Force de sortie sélectionnable (DS)
• Possibilité d'arrêter l'horloge
• 64 ms de rafraîchissement, 32 ms pour la température automobile
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | - |
Emballage | Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR) |
Boîtier de colis | 90 VFBGA |
Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 10,7 V à 1,95 V |
Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
Capacité de mémoire | 512M (16M x 32) |
Type de mémoire | SDRAM LPDDR mobiles |
Vitesse | 200 MHz |
Format-mémoire | La RAM |
Décrits
SDRAM - mémoire LPDDR mobile IC 512 Mb (16M x 32) parallèle 200 MHz 5,0ns 90-VFBGA (8x13)
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