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IS43DR16640C-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Nom de marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Numéro de modèle | Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.
Whatsapp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM-DDR2 | Capacité de la mémoire | 1Gbit |
| Organisation de mémoire | 64M x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | 400 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 picosecondes | Voltage - alimentation | 1.7V à 1.9V |
| Température de fonctionnement | 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 84-TFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 84-TWBGA (8x12.5) |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43DR16320E-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-25DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-25DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-3DBL | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-25DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-25DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBL | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-25DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-25DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320E-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-3DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-25DBLA1-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-3DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320E-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-25DBLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-3DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-25DBLA2-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBLI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-3DBL-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-3DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640C-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-25DBLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16160B-25DBLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-3DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-25DBLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25DBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-3DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25DBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-3DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25DBLA2-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-3DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25DBLA2 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-3DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-25DBLI-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16128C-3DBLI | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16128C-3DBLA1-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16128C-3DBLA1 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16128C-3DBLA2-TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16128C-3DBLA2 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-37CBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-37CBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640A-3DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-25EBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-25EBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-25EBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-25EBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-37CBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-37CBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBL | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-3DBL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-5BBLI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16160A-5BBLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320C-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25EBLA1 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16640B-25EBLA1-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-25DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBI | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16320D-3DBI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640C-3DBI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25EBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25EBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16160B-3DBI | IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25EBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25EBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-25DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320C-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS46DR16320D-3DBA2 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25DBI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA |
Description de produit
Détails du produit
Caractéristiques
• Voltage standard: VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V• Basse tension (L): VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rétrospectivement compatible à 1,5 V
• Les taux de transfert de données à grande vitesse avec une fréquence du système allant jusqu'à 933 MHz
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• Architecture de pré-remplacement 8n-bit
• latence CAS programmable
• La latence additive programmable est de 0, CL-1, CL-2
• latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
• Longueur de rafale programmable: 4 et 8
• Séquence d'explosion programmable: séquentielle ou intermédiaire
• Commutateur BL à la volée
• Autorefresh automatique (ASR)
• Température de rafraîchissement automatique (SRT)
• Intervalle de mise à jour:
7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C à 85°C
3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 105°C
• Autorefresquage par matrice partielle
• broche de réinitialisation asynchrone
• TDQS (Termination Data Strobe) pris en charge (x8 uniquement)
• OCD (réglage de l'impédance du pilote hors puce)
• ODT dynamique (termination immédiate)
• Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Écrire le nivellement
• Jusqu'à 200 MHz en mode DLL éteint
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux (TC = 0°C à +95°C)
Industrie (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Le secteur privé |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Produit de fabrication | Le secteur privé |
| Catégorie de produits | DRAM |
| RoHS | Détails |
| Marque | Le secteur privé |
| Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
| MT47H64M16NF-25E:M La mémoire |
Les données sont fournies par les fournisseurs d'accès à la plateforme. | Micron Technology Inc. est une société | Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
| MT4EIT:M La mémoire |
Les données sont fournies par les fournisseurs d'accès à la plateforme. | Micron Technology Inc. est une société | Les données sont fournies à l'aide d'un formulaire d'évaluation de l'efficacité. |
| Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. La mémoire |
La RAM DDR, 64MX16, 0,4ns, CMOS, PBGA84, 8 x 12,50 mm, 1,20 mm de hauteur, 0,80 mm de hauteur, sans plomb, TWBGA-84 | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'analyse de l'efficacité de la méthode de dépistage de l'infection par le VIH/SIDA sont publiés dans le rapport annuel annuel de l'Agence. |
| Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. La mémoire |
La RAM DDR, 64MX16, 0,4ns, CMOS, PBGA84, 8 x 12,50 mm, 1,20 mm de hauteur, 0,80 mm de hauteur, sans plomb, TWBGA-84 | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
Décrits
SDRAM - mémoire DDR2 IC 1Gb (64M x 16) parallèle 400MHz 400ns 84-TWBGA (8x12.5)
La carte SDRAM est une carte SDRAM de type DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84 pin TW-BGA
une mémoire DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16
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