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AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

  • AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II Alliance Memory, Inc.
Nom de marque Alliance Memory, Inc.
Numéro de modèle Le numéro d'immatriculation du véhicule doit être le numéro de référence de l'autorité compétente.
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM Capacité de la mémoire 64Mbit
Organisation de mémoire 4M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 166 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 5,4 NS Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 54-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 54-TSOP II
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Part Number Description
AS4C4M16SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-6TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TAN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2TG-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SB-6TIN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
AS4C16M16SB-7TCN IC DRAM 256MBIT LVTTL 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16SA-6TANTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16SA-6TANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M8SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M4SA-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16SA-6TANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SB-6TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS7C316098B-10TINTR IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
AS7C316098B-10TIN IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TANTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TANTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SA-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TANTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TAN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C16M16S-6TCN IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SA-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TAN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C4M16S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
AS4C64M8SA-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TAN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C8M16S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TCN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
AS4C32M16SM-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2TG-75:IT:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC32M16A2P-75:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC16M16A2TG-6A IT:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC16M16A2TG-6A:GTR IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
MT48LC8M16A2TG-6A:LTR IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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Part Number Description
Description de produit

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Le type SDRAM
Emballage Plateau
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis La taille de l'échantillon doit être comprise entre 5 mm et 10 mm.
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur Le produit est soumis à des contrôles.
Capacité de mémoire 64 M (4 M x 16)
Type de mémoire SDRAM
Vitesse 166 MHz
Temps d'accès 5.4 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 85 C
Plage de température de fonctionnement - Quarante degrés.
Organisation du projet 4 M x 16
Le courant d'approvisionnement maximal 50 mA
Largeur du bus de données 16 bits
Voltage d'alimentation maximal 3.6 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 3 V
Boîtier de colis Le TSOP-54
Fréquence d'horloge maximale 166 MHz

Décrits

Mémoire SDRAM IC 64 Mb (4M x 16) parallèle à 166 MHz 5,4ns 54-TSOP II
DRAM
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI