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MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256 MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.

  • MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle SERVICE INFORMATIQUE DE MT48LC16M16A2B4-7E : G
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM Capacité de la mémoire 256Mbit
Organisation de mémoire 16M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 133 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page 14ns
Temps d'accès 5,4 NS Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 54-VFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 54-VFBGA (8x8)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8 IT TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8 TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-10 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-10 IT IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-10 IT TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-10 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IT IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-10 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-10 IT IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-10 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-8 IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFF4-8 IT IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-10 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFF4-10 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFF4-10 IT IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFF4-8 IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFF4-8 IT IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16LFF4-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-10:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFB4-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-10 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-10:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8 XT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48V8M16LFF4-8:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC4M16A2F4-75:G TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC4M16A2F4-7E:G TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC8M16A2F4-75:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8 IT:J TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IT TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8:J TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-75 IT:H TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-75:H TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC8M16LFB4-75M:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IT:H IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8 IT:H TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8:H IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-8:H TR IC DRAM 64MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-6 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-6:K IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-6:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H32M16LFB4-75 IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-75 IT:H IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48H4M16LFB4-75:H IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-75 IT:K IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-75:K IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8:J IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-75:G IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-8 IT:J IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-75 IT:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H8M16LFB4-75:K TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-75:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48H32M16LFB4-75B IT:C IC DRAM 512MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A AAT:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Description générale

La SDRAM de 256 Mb est une mémoire CMOS dynamique à accès aléatoire haute vitesse contenant 268,435Il est configuré en interne comme une DRAM quad-bank avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le bord positif du signal d'horloge, CLK).108Les banques de 864 bits sont organisées en 8192 lignes par 2048 colonnes par 4 bits.108Les banques de 864 bits sont organisées en 8192 lignes par 1024 colonnes par 8 bits.108Les banques de 864 bits sont organisées en 8192 lignes par 512 colonnes par 16 bits.

Caractéristiques

• Conforme à la norme PC100 et PC133
• entièrement synchrone; tous les signaux enregistrés sur le bord positif de l'horloge du système
• Fonctionnement interne; l'adresse de la colonne peut être modifiée à chaque cycle d'horloge
• Banques intérieures pour accès/précharge en rangées cachées
• Longueur des éclaboussures programmable: 1, 2, 4, 8 ou page entière
• Précharge automatique, comprend les modes de précharge automatique et de rafraîchissement automatique simultanés
• Mode de mise à jour automatique (non disponible sur les appareils AT)
• Mise à jour automatique
- 64 ms, 8192 cycles de mise à jour (commercial et industriel)
- 16 ms, 8192 cycles de rafraîchissement (automobile)
• Les entrées et sorties compatibles avec LVTTL
• alimentation unique de 3,3 V ± 0,3 V

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis Le nombre d'équipements utilisés
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre de points de contact doit être supérieur ou égal à:
Capacité de mémoire 256 M (16 M x 16)
Type de mémoire SDRAM
Vitesse 133 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

La carte SD-RAM est une carte SD-RAM de 256 Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin VFBGA
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI