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MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'un système de traitement de données qui est utilisé par les opérateurs de télécommunications.

  • MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT41J128M16HA-125 IT:D
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3 Capacité de la mémoire 2Gbit
Organisation de mémoire 128M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 800 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 13,75 NS Voltage - alimentation 1.425V | 1.575V
Température de fonctionnement -40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 96-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 96-FBGA (9x14)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT41K256M16TW-107 AUT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-107G:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AAT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AIT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D TR IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-107G:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

La mémoire SDRAM DDR3

2 Gb: RAM DDR3 SDRAM x4, x8, x16

Caractéristiques

• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V
• 1,5 V d'entrée/sortie de poussée/pull terminée au centre
• Stroboscope bidirectionnel différentiel de données
• architecture de pré-recherche 8n-bit
• Entrées d'horloge différentielle (CK, CK#)
• 8 banques intérieures
• Termination nominale et dynamique (ODT) pour les signaux de données, de stroboscope et de masque
• latence de lecture CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
• Longueur de rupture fixe (BL) de 8 et coupure de rupture (BC) de 4 (via le réglage de registre de mode [MRS])
• BC4 ou BL8 sélectionnables à la volée (OTF)
• Mode de mise à jour automatique
• TC de 0 à 95 °C
- 64 ms, 8192 cycles de rafraîchissement de 0°C à 85°C
32 ms, 8192 cycles de rafraîchissement à 85°C à 95°C
• Température de rafraîchissement automatique (SRT)
• Écrire le nivellement
• Registre polyvalent
• Étalonnage du pilote de sortie

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis 96-TFBGA
Température de fonctionnement -40°C à 95°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 1.425 V à 1,575 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 2G (128M x 16)
Type de mémoire La mémoire SDRAM DDR3
Vitesse 800 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR3 IC 2Gb (128M x 16) parallèle 800MHz 13,75ns 96-FBGA (9x14)
La carte SD est un fichier graphique qui permet d'afficher les données du fichier.
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI