DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim intégré

Nom de marque Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Numéro de modèle DS1245AB-70+
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Non-volatile Format de mémoire NVSRAM
Technologie NVSRAM (SRAM non-volatile) Capacité de la mémoire 1Mbit
Organisation de mémoire 128K X 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 70ns
Temps d'accès 70 NS Voltage - alimentation 4.75V à 5.25V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage À travers le trou
Emballage / boîtier Module 32-DIP (0,600", 15.24mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 32-EDIP
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Part Number Description
DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-150+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-100+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-100# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-85+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-85+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120IND+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100IND+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-150 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-85 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-85 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-70 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100 IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-120IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245Y-120IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245AB-70IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-150 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-85 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85 IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-70IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-70IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249AB-85IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-150 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70 IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-70IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-70IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1245W-100IND IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100IND IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250AB-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250Y-100IND IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1250W-150+ IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100IND# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249W-100# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
DS1249Y-85# IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition

Les SRAM non volatils DS1245 1024k sont1,048576 bits, SRAMs entièrement statiques et non volatils organisés en 131 072 mots par 8 bits.Chaque SRAM NV complète est équipée d'une source d'énergie au lithium autonome et d'un circuit de commande qui surveille constamment le VCC pour détecter une condition hors tolérance.Lorsque cette condition se produit, la source d'énergie au lithium s'allume automatiquement et la protection d'écriture est activée sans condition pour empêcher la corruption des données.Les périphériques DS1245 DIP peuvent être utilisés à la place des mémoires RAM statiques 128k x 8 existantes directement conformes à la norme DIP populaire de 32 broches.Les dispositifs DS1245 du module PowerCap sont directement montés en surface et sont normalement couplés à un module DS9034PC PowerCap pour former un module SRAM non volatil complet.Il n'y a pas de limite sur le nombre de cycles d'écriture qui peuvent être exécutés et aucun circuit de support supplémentaire n'est requis pour l'interface microprocesseur.

Caractéristiques

■ 10 ans de conservation minimale des données en l'absence d'alimentation externe
■ Les données sont automatiquement protégées en cas de panne de courant
■ Remplace la mémoire RAM statique volatile 128k x 8, la mémoire EEPROM ou Flash
■ Cycles d'écriture illimités
■ CMOS à faible consommation
■ Temps d'accès à la lecture et à l'écriture de 70 ns
■ La source d'énergie au lithium est déconnectée électriquement pour conserver sa fraîcheur jusqu'à la première mise sous tension
■ Plage de fonctionnement VCC complète à ± 10% (DS1245Y)
■ Optionnel ± 5% de la plage de fonctionnement VCC (DS1245AB)
■ Plage de température industrielle facultative de -40°C à +85°C, désignée IND
■ JEDEC standard de 32 broches avec un paquet DIP
■ Le module PowerCap (PCM) est un ensemble
- Module directement monté à la surface
- PowerCap remplaçable fournit une batterie de secours au lithium
- Pinout normalisé pour tous les produits SRAM non volatils
Nom?

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Maxime intégré
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Le nombre de points de contrôle
Emballage Tuyaux
Mode de montage À travers le trou
Boîtier de colis Module 32 DIP (0,600" et 15,24 mm)
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 40,75 V à 5,25 V
Produit fourni par le fournisseur 32- EDIP
Capacité de mémoire 1M (128K x 8)
Type de mémoire Les appareils de surveillance de l'environnement doivent être équipés d'un système de surveillance de l'environnement.
Vitesse 70 ans
Temps d'accès 70 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 70 °C
Plage de température de fonctionnement 0 C
Courant d'alimentation en fonctionnement 85 mA
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 128 k x 8
Partie #-Alias Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
Largeur du bus de données 8 bits
Voltage d'alimentation maximal 5.25 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 4.75 V
Boîtier de colis Le projet d'initiative
Composant fonctionnel compatibleForme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
Le nombre d'unités de traitement est le suivant:
La mémoire
Module SRAM non volatil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-32 Produits intégrés Maxim La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon
Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle.
La mémoire
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Rochester Electronics LLC est une société La valeur de l'échantillon est calculée à partir de la valeur de l'échantillon.
Le numéro de série de l'appareil doit être identifié.
La mémoire
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. Rochester Electronics LLC est une société La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur.
M48Z128Y-70PM1
La mémoire
Le système de traitement de l'information doit être équipé d'un module SRAM non volatile de 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32. STMicroélectronique DS1245AB-70+ contre le M48Z128Y-70PM1
Le nombre d'équipements utilisés
La mémoire
Module SRAM non volatile, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pouces, module étendu, DIP-32 Produits intégrés Maxim La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon
La valeur de l'échantillon est la valeur de l'échantillon.
La mémoire
Module SRAM non volatil, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 pouces, plastique, DIP-32 Dallas Semi-conducteur La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:
Les données sont fournies à l'adresse suivante:
La mémoire
Module SRAM non volatil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-32 Produits intégrés Maxim La valeur de l'échantillon est calculée à partir de la valeur de l'échantillon.
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
La mémoire
Module SRAM non volatil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-32 Produits intégrés Maxim La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à:
M48Z128-70PM1
La mémoire
Le système de traitement de l'information doit être équipé d'un module SRAM non volatile de 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32. STMicroélectronique DS1245AB-70+ contre M48Z128-70PM1

Décrits

NVSRAM (SRAM non volatile) mémoire IC 1 Mb (128K x 8) parallèle 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM non volatile