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DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Analog Devices Inc./Maxim intégré
Nom de marque | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
---|---|
Numéro de modèle | DS1245AB-70+ |
Quantité de commande min | 1 |
Prix | Based on current price |
Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
Conditions de paiement | T/T |
Capacité d'approvisionnement | En stock |

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xDétails sur le produit
Type de mémoire | Non-volatile | Format de mémoire | NVSRAM |
---|---|---|---|
Technologie | NVSRAM (SRAM non-volatile) | Capacité de la mémoire | 1Mbit |
Organisation de mémoire | 128K X 8 | Interface de mémoire | Parallèlement |
Fréquence du signal d'horloge | - | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 70ns |
Temps d'accès | 70 NS | Voltage - alimentation | 4.75V à 5.25V |
Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: | Type de montage | À travers le trou |
Emballage / boîtier | Module 32-DIP (0,600", 15.24mm) | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 32-EDIP |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number | Description | |
---|---|---|
DS1245AB-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-150 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245Y-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245AB-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-150 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249AB-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1245W-100IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250AB-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250Y-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1250W-150+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249W-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
DS1249Y-85# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
Description de produit
Détails du produit
Définition
Les SRAM non volatils DS1245 1024k sont1,048576 bits, SRAMs entièrement statiques et non volatils organisés en 131 072 mots par 8 bits.Chaque SRAM NV complète est équipée d'une source d'énergie au lithium autonome et d'un circuit de commande qui surveille constamment le VCC pour détecter une condition hors tolérance.Lorsque cette condition se produit, la source d'énergie au lithium s'allume automatiquement et la protection d'écriture est activée sans condition pour empêcher la corruption des données.Les périphériques DS1245 DIP peuvent être utilisés à la place des mémoires RAM statiques 128k x 8 existantes directement conformes à la norme DIP populaire de 32 broches.Les dispositifs DS1245 du module PowerCap sont directement montés en surface et sont normalement couplés à un module DS9034PC PowerCap pour former un module SRAM non volatil complet.Il n'y a pas de limite sur le nombre de cycles d'écriture qui peuvent être exécutés et aucun circuit de support supplémentaire n'est requis pour l'interface microprocesseur.
Caractéristiques
■ 10 ans de conservation minimale des données en l'absence d'alimentation externe■ Les données sont automatiquement protégées en cas de panne de courant
■ Remplace la mémoire RAM statique volatile 128k x 8, la mémoire EEPROM ou Flash
■ Cycles d'écriture illimités
■ CMOS à faible consommation
■ Temps d'accès à la lecture et à l'écriture de 70 ns
■ La source d'énergie au lithium est déconnectée électriquement pour conserver sa fraîcheur jusqu'à la première mise sous tension
■ Plage de fonctionnement VCC complète à ± 10% (DS1245Y)
■ Optionnel ± 5% de la plage de fonctionnement VCC (DS1245AB)
■ Plage de température industrielle facultative de -40°C à +85°C, désignée IND
■ JEDEC standard de 32 broches avec un paquet DIP
■ Le module PowerCap (PCM) est un ensemble
- Module directement monté à la surface
- PowerCap remplaçable fournit une batterie de secours au lithium
- Pinout normalisé pour tous les produits SRAM non volatils
Nom?
Les spécifications
Attribut | Valeur attribuée |
---|---|
Produit de fabrication | Maxime intégré |
Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
Série | Le nombre de points de contrôle |
Emballage | Tuyaux |
Mode de montage | À travers le trou |
Boîtier de colis | Module 32 DIP (0,600" et 15,24 mm) |
Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
Interface | Parallèlement |
Appareil de régulation de la tension | 40,75 V à 5,25 V |
Produit fourni par le fournisseur | 32- EDIP |
Capacité de mémoire | 1M (128K x 8) |
Type de mémoire | Les appareils de surveillance de l'environnement doivent être équipés d'un système de surveillance de l'environnement. |
Vitesse | 70 ans |
Temps d'accès | 70 ns |
Format-mémoire | La RAM |
Température de fonctionnement maximale | + 70 °C |
Plage de température de fonctionnement | 0 C |
Courant d'alimentation en fonctionnement | 85 mA |
Type d'interface | Parallèlement |
Organisation du projet | 128 k x 8 |
Partie #-Alias | Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement. |
Largeur du bus de données | 8 bits |
Voltage d'alimentation maximal | 5.25 V |
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. | 4.75 V |
Boîtier de colis | Le projet d'initiative |
Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
Le nombre d'unités de traitement est le suivant: La mémoire |
Module SRAM non volatil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-32 | Produits intégrés Maxim | La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon |
Le nombre de points de contrôle doit être le même que le nombre de points de contrôle. La mémoire |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. | Rochester Electronics LLC est une société | La valeur de l'échantillon est calculée à partir de la valeur de l'échantillon. |
Le numéro de série de l'appareil doit être identifié. La mémoire |
Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre dans lequel elles sont situées. | Rochester Electronics LLC est une société | La valeur de l'indicateur est la valeur de l'indicateur. |
M48Z128Y-70PM1 La mémoire |
Le système de traitement de l'information doit être équipé d'un module SRAM non volatile de 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32. | STMicroélectronique | DS1245AB-70+ contre le M48Z128Y-70PM1 |
Le nombre d'équipements utilisés La mémoire |
Module SRAM non volatile, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pouces, module étendu, DIP-32 | Produits intégrés Maxim | La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à la valeur de l'échantillon |
La valeur de l'échantillon est la valeur de l'échantillon. La mémoire |
Module SRAM non volatil, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0,740 pouces, plastique, DIP-32 | Dallas Semi-conducteur | La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à: |
Les données sont fournies à l'adresse suivante: La mémoire |
Module SRAM non volatil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-32 | Produits intégrés Maxim | La valeur de l'échantillon est calculée à partir de la valeur de l'échantillon. |
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: La mémoire |
Module SRAM non volatil, 128KX8, 70ns, CMOS, 0,740 pouces, conforme à la réglementation ROHS, DIP-32 | Produits intégrés Maxim | La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale à: |
M48Z128-70PM1 La mémoire |
Le système de traitement de l'information doit être équipé d'un module SRAM non volatile de 128KX8, 70ns, PDMA32, PMDIP-32. | STMicroélectronique | DS1245AB-70+ contre M48Z128-70PM1 |
Décrits
NVSRAM (SRAM non volatile) mémoire IC 1 Mb (128K x 8) parallèle 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM non volatile
produits recommandés