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AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur d'accès à la mémoire.

  • AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Alliance Memory, Inc.
Nom de marque Alliance Memory, Inc.
Numéro de modèle Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
Conditions de paiement T/T
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR Capacité de la mémoire 256Mbit
Organisation de mémoire 16M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 200 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 700 picosecondes Voltage - alimentation 2.3V | 2.7V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 60-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 60-TFBGA (8x13)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C8M16D1-5BIN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BIN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BIN IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BINTR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C8M16D1-5BCN IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
AS4C16M16D1-5BCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
AS4C64M8D1-5BCNTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C16M16D1-5BINTR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
AS4C64M8D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C64M8D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D1-5BINTR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
AS4C32M16D1-5BCN IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60BGA
IS46R16160F-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400F-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320E-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5 TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
W9425G6JB-5I TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320E-6BI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16320E-5BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-5B IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R86400D-6BI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43R16160F-5BI IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Caractéristiques

• organisation: 1,048,576 mots × 4 bits
• Haute vitesse
- 40/50/60/70 ns de temps d'accès au RAS
- 20/25/30/35 ns Temps d'accès à l'adresse de colonne
- 10/13/15/18 ns Temps d'accès au CAS
• Faible consommation électrique
- Actif: 385 mW maximum (-60)
- En veille: 5,5 mW maximum, I/O CMOS
• Mode de page rapide (AS4C14400) ou EDO (AS4C14405)
• 1024 cycles de mise à jour, intervalle de mise à jour de 16 ms
- Récupération du RAS uniquement ou du CAS avant le RAS
• Lire-modifier-écrire
• compatibles avec TTL, I/O à trois états
• les paquets standard de la JEDEC
- 300 mil, 20/26 broches de SOJ
- 300 millilitres, 20/26 épingles
• alimentation à 5 V unique
• Protection contre les DSE ≥ 2001V
• Courant de verrouillage ≥ 200 mA

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Pour les véhicules à moteur à combustion
Le type DDR1
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis 60 - TFBGA
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.3 V ~ 2,7 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
Capacité de mémoire 256 M (16 M x 16)
Type de mémoire REM DDR SDR
Vitesse 200 MHz
Temps d'accès 0.7 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 70 °C
Plage de température de fonctionnement 0 C
Organisation du projet 16 M x 16
Le courant d'approvisionnement maximal 135 mA
Largeur du bus de données 16 bits
Voltage d'alimentation maximal 2.7 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 2.3 V
Boîtier de colis Les éléments suivants doivent être utilisés:
Fréquence d'horloge maximale 200 MHz

Décrits

SDRAM - mémoire DDR IC 256 Mb (16M x 16) parallèle 200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI