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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

  • MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT47H128M16RT-25E : C TR
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR2 Capacité de la mémoire 2Gbit
Organisation de mémoire 128M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 400 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 400 picosecondes Voltage - alimentation 1.7V à 1.9V
Température de fonctionnement 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 84-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 84-FBGA (9x12.5)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E IT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
IS43DR16640B-25DBLI IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBL IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
MT47H128M16RT-25E AIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 L:G IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 L:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-3:F IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-3:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AAT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA
MT47H64M16HR-25 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47R64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16PK-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E XIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

La mémoire SDRAM DDR2

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 banques
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 banques
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 banques

Caractéristiques

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• Émetteur/sortie de 1,8 V selon la norme JEDEC (compatible avec SSTL_18)
• Option de stroboscope différentiel de données (DQS, DQS#)
• architecture de pré-recherche 4n-bits
• Option de rétroéclairage à sortie double (RDQS) pour x8
• DLL pour aligner les transitions DQ et DQS avec CK
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• latence CAS programmable (CL)
• La latence de l'additif CAS (AL) affichée
• RÉCITER la latence = LIRE la latence - 1 tCK
• Longueur d'éclatation sélectionnable (BL): 4 ou 8
• Puissance réglable de l'entraînement de sortie de données
• 64 ms, 8192 cycles de mise à jour
• Termination au moment de la mise au point (ODT)
• Option de température industrielle
• Option de température automobile (AT)
• Conforme à la directive RoHS
• Prend en charge les spécifications JEDEC pour le jitter d'horloge

Les spécifications

AttributValeur attribuée
Produit de fabricationMicron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produitsCircuits intégrés mémoire
Série-
EmballageEmballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colisPour l'équipement de la catégorie 84-TFBGA
Température de fonctionnement0°C à 85°C (TC)
InterfaceParallèlement
Appareil de régulation de la tension10,7 V à 1,9 V
Produit fourni par le fournisseurPour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire2G (128M x 16)
Type de mémoireLa mémoire SDRAM DDR2
Vitesse2.5ns
Format-mémoireLa RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR2 IC 2Gb (128M x 16) parallèle 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI