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W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Électronique Winbond

  • W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA Winbond Electronics
Nom de marque Winbond Electronics
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR2 mobile Capacité de la mémoire 512Mbit
Organisation de mémoire 16M x 32 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 400 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès - Voltage - alimentation 1.14V à 1.95V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier Les produits de base doivent être présentés dans la liste ci-après: Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le nombre de fois où les données sont utilisées est supérieur ou égal à:
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Part Number Description
W979H2KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I TR IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
W97AH2NBVA2I IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H6KBVX2E TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H2KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2E IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
W979H2KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2E IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W979H6KBVX2I IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W978H6KBVX2I IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
MT42L128M32D2MH-25 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L128M32D2MH-3 IT:A IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L16M32D1AC-25 AAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 AAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA
MT42L32M32D2AC-25 AIT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH2KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH2KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2E IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97BH6KBVX2I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
W97AH6KBVX2I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 AIT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 FAAT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAAT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-D IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-D IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB1332BDPC-1D-F-R TR IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAAT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB2432B4MA-1DIT-F-R TR IC DRAM 2GBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
EDB5432BEBH-1DIT-F-R TR IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
MT42L16M32D1AC-25 IT:A IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition générale

Le W9712G6JB est une RAM SDR2 DDR2 de 128 M bits, organisée en 2,097,152 mots ×4 banques ×16 bits. Cet appareil atteint des vitesses de transfert à haute vitesse allant jusqu'à 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) pour des applications générales.25ILe -18 est conforme à la spécification DDR2-1066 (7-7-7).Les -25/25I/25A sont conformes aux spécifications DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (la qualité industrielle 25I et la qualité automobile 25A qui est garantie pour supporter -40 °C ≤TCASE ≤95 °C)Le -3 est conforme à la spécification DDR2-667 (5-5-5).

Caractéristiques

L'alimentation électrique: VDD, VDDQ= 1,8 V ±0,1 V
Architecture à double débit de données: deux transferts de données par cycle d'horloge
La latence CAS: 3, 4, 5, 6 et 7
Longueur de l'explosion: 4 et 8
Les stroboscopies bidirectionnelles et différentielles (DQS et DQS) sont transmises/reçues avec les données
Bordé avec les données de lecture et centré avec les données d'écriture
DLL aligne les transitions DQ et DQS avec l'horloge
Les entrées d'horloge différentielle (CLK et CLK)
Masques de données (DM) pour l'écriture de données.
Les commandes entrées sur chaque bord, données et masque de données CLK positifs sont référencées sur les deux bords du DQS
La latence additive programmable CAS publiée est prise en charge pour rendre l'efficacité du bus de commande et de données
Lecture de la latence = latence additive plus latence CAS (RL = AL + CL)
Réglage de l'impédance hors puce-conducteur (OCD) et de la terminaison sur-puce (ODT) pour une meilleure qualité du signal
Opération de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture
Les modes d'actualisation automatique et d'auto-actualisation
Désactivation préchargée et active
Écrire un masque de données
Écrire la latence = lire la latence - 1 (WL = RL - 1)
Interface: SSTL_18
Emballé dans une boule WBGA 84 (8X12,5 mm)2), utilisant des matériaux sans plomb et conformes à la directive RoHS

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Électronique Winbond
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis Les produits de base doivent être présentés dans la liste ci-après:
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 1.14 V ~ 1.95 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre de fois où les données sont utilisées est supérieur ou égal à:
Capacité de mémoire 512M (16M x 32)
Type de mémoire SDRAM LPDDR2 mobiles
Vitesse 400 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire mobile LPDDR2 IC de 512 Mb (16M x 32) parallèle à 400 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
SDRAM à grande vitesse, vitesse d'horloge allant jusqu'à 533 MHz, 4 banques internes
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI