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70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc. Il est fourni par les fournisseurs de services de télécommunications américains.

  • 70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP Renesas Electronics America Inc
Nom de marque Renesas Electronics America Inc
Numéro de modèle Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Port double, asynchrone Capacité de la mémoire 1.125 Mbit
Organisation de mémoire 32K x 36 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge - Écrivez la durée de cycle - Word, page 10ns
Temps d'accès 10 ns Voltage - alimentation 3.15V ~ 3.45V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 208-BFQFP Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 208-PQFP (28x28)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRI IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70T3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70T651S10DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S12DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T651S15DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70T659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S4DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S5DRI IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3569S6DR IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
70V3579S4DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S5DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3579S6DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S166DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S133DRI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S12DRI IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V657S15DR IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
70V658S10DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S12DRI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V658S15DR IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S10DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S12DRGI8 IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V659S15DR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S133DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DR IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7519S166DRI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP
70V7599S133DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V7599S166DR IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V3589S133DRG IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRG8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3589S133DRGI8 IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
70V3599S133DRGI IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP
70V657S10DRG8 IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition

L'IDT70V659/58/57 est une RAM statique à double port asynchrone 128/64/32K x 36 à grande vitesse.L'IDT70V659/58/57 est conçu pour être utilisé comme une RAM à double port 4/2/1Mbit autonome ou comme une combinaison de RAM à double port MASTER / SLAVE pour un système de mots de 72 bits ou plus. L'utilisation de l'approche IDT MASTERSLAVE Dual-Port RAM dans les applications de système de mémoire de 72 bits ou plus large se traduit par un fonctionnement sans erreur à pleine vitesse sans avoir besoin de logique discrète supplémentaire.

Caractéristiques

◆ Véritables cellules de mémoire à double port qui permettent l'accès simultané du même emplacement de mémoire
◆ Accès à haut débit
¢ Commercial: 10/12/15 jours (max.)
Pour l'industrie: 12/15ns (max.)
◆ Les puces doubles permettent d'étendre la profondeur sans logique externe
◆ L'IDT70V659/58/57 permet d'élargir facilement la largeur du bus de données à 72 bits ou plus à l'aide de la sélection maître/esclave lorsque plusieurs appareils sont en cascade
◆ M/S = VIH pour le drapeau de sortie BUSY sur Master, M/S = VIL pour l'entrée BUSY sur Slave
◆ Des drapeaux occupés et interrompues
◆ logique d'arbitrage des ports sur puce
◆ Une prise en charge complète du matériel sur la puce pour la signalisation des sémaphores entre les ports
◆ Opération entièrement asynchrone depuis les deux ports
◆ Contrôles d'octets séparés pour la compatibilité de bus multiplexés et de bus
◆ Prend en charge les fonctionnalités JTAG conformes à l'IEEE 1149.1
◆ Apporte d'alimentation unique de 3,3 V (± 150 mV) pour le noyau compatible avec LVTTL
◆ L'alimentation électrique de 3,3 V (± 150 mV) /2,5 V (± 100 mV) sélectionnable, compatible LVTTL, pour les I/O et les signaux de commande sur chaque port
◆ Disponible en plastique quadruple à 208 broches, en grille à billes à 208 boules et en grille à billes à 256 boules
◆ Une plage de températures industrielles (de 40°C à +85°C) est disponible pour certaines vitesses.

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Systèmes de circuits intégrés
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série Pour les appareils électroniques
Le type Asynchrone
Emballage Plateau
Mode de montage DSM/SMT
Boîtier de colis 208-BFQFP Les produits de base
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3.15 V ~ 3.45 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'heures de travail est le suivant:
Capacité de mémoire 1.125M (32K x 36)
Type de mémoire SRAM - Port double, asynchrone
Vitesse 10 ans
Temps d'accès 10 ns
Format-mémoire La RAM
Température de fonctionnement maximale + 70 °C
Plage de température de fonctionnement 0 C
Type d'interface Parallèlement
Organisation du projet 32 k x 36
Le courant d'approvisionnement maximal 500 mA
Partie #-Alias Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise.
Voltage d'alimentation maximal 3.45 V
Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. 3.15 V
Boîtier de colis PQFP-208
Composant fonctionnel compatibleForme,emballage,composant compatible fonctionnel
Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
L'équipement doit être équipé d'un dispositif de sécurité.
La mémoire		 La RAM à double port, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM de hauteur, 0,80 MM de hauteur, verte, FPBGA-208 Technologie des appareils intégrés Inc. Les résultats de l'enquête ont été publiés dans les journaux de l'Union européenne.
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil.
La mémoire		 CABGA-208, plateau Technologie des appareils intégrés Inc. Le modèle 70V657S10DRG contre 70V657S10BFG
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
La mémoire		 CABGA-208, rouleau Technologie des appareils intégrés Inc. Le 70V657S10DRG contre le 70V657S10BFG8
Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation de l'entreprise.
La mémoire		 La RAM à double port, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1,40 MM de hauteur, 0,80 MM de hauteur de prise, FPBGA-208 Technologie des appareils intégrés Inc. Les résultats de l'enquête ont été publiés dans les journaux de l'Union européenne.
Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil
La mémoire		 CABGA-256, plateau Technologie des appareils intégrés Inc. Le 70V657S10DRG contre le 70V657S10BC
Le code de conduite doit être le même que le code de conduite.
La mémoire		 La RAM à double port, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, hauteur de 3,50 MM, verte, en plastique, QFP-208 Technologie des appareils intégrés Inc. Les résultats de l'enquête sont les suivants:
Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
La mémoire		 La RAM à double port, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de hauteur, 1 MM de hauteur, verte, BGA-256 Technologie des appareils intégrés Inc. Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
Les produits de la catégorie 1 doivent être soumis à un contrôle de conformité.
La mémoire		 CABGA-256, plateau Technologie des appareils intégrés Inc. Le 70V657S10DRG contre le 70V657S10BCG
Le code de conduite doit être le même que le code de conduite de l'appareil.
La mémoire		 La RAM SRAM à double port, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de hauteur, 1 MM de hauteur, BGA-256 Technologie des appareils intégrés Inc. Les résultats de l'enquête ont été publiés dans les journaux de l'Union européenne.
Le nombre total de véhicules à moteur est de:
La mémoire		 La RAM SRAM à double port, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1,40 MM de hauteur, 1 MM de hauteur, BGA-256 Technologie des appareils intégrés Inc. Le 70V657S10DRG contre le 70V657S10BCG8

Décrits

SRAM - Port double, mémoire IC asynchrone de 1,125 Mb (32K x 36) parallèle 10ns 208-PQFP (28x28)
La RAM SRAM 32K X 36 ASYNC DP est une mémoire vive
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI