MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64 MBIT PAR 86TSOP II Micron Technology Inc.

Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT4A2M4A2M4A2M4A2M4A2M4A2
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM Capacité de la mémoire 64Mbit
Organisation de mémoire 2M x 32 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 167 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page 12ns
Temps d'accès 5,5 NS Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 86-TFSOP (0,400", largeur de 10.16mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 86-TSOP II
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Part Number Description
MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-7:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-55:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-55:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-55:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-55:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-5:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2P-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-6 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC8M32B2TG-7 TR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-7:G TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7 IT:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-7:G IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6 IT:G IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A IT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A IT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-5:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2P-6A XIT:L TR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
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Description de produit

Détails du produit

Définition générale

La SDRAM de 64 Mb est une mémoire CMOS dynamique à accès aléatoire haute vitesse contenant 67108Il est configuré en interne comme une DRAM quad-bank avec une interface synchrone (tous les signaux sont enregistrés sur le bord positif du signal d'horloge, CLK).777Les banques de 216 bits sont organisées en 2048 lignes de 256 colonnes de 32 bits.
Les accès de lecture et d'écriture à la SDRAM sont orientés sur les rafales; les accès commencent à un emplacement sélectionné et se poursuivent pour un nombre programmé d'emplacements dans une séquence programmée.Les accès commencent par l'enregistrement d'une commande ACTIVELes bits d'adresse enregistrés en coïncidence avec la commande ACTIVE sont utilisés pour sélectionner la banque et la ligne à accéder (BA0, BA1, sélectionnez la banque,A0-A10 sélectionnez la ligne). Les bits d'adresse enregistrés coïncidant avec la commande READ ou WRITE sont utilisés pour sélectionner l'emplacement de la colonne de départ pour l'accès rapide.

Caractéristiques

• fonctionnalité PC100
• entièrement synchrone; tous les signaux enregistrés sur le bord positif de l'horloge du système
• Opération interne par pipeline; l'adresse de la colonne peut être modifiée à chaque cycle d'horloge
• Banques intérieures pour accès/précharge en rangées cachées
• Longueur des éclaboussures programmable: 1, 2, 4, 8 ou page entière
• Préchargement automatique, comprend le préchargement automatique concurrent et les modes de rafraîchissement automatique
• Mode de rafraîchissement automatique
• 64 ms, 4 096 cycles de rafraîchissement (15,6 μs/ligne)
• Les entrées et sorties compatibles avec LVTTL
• alimentation simple +3,3 V ±0,3 V
• Prend en charge la latence CAS de 1, 2 et 3

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage
Boîtier de colis La taille de l'échantillon doit être comprise entre 0,4 et 0,6 mm.
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur 86-TSOP II
Capacité de mémoire 64 M (2 M x 32)
Type de mémoire SDRAM
Vitesse 167 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

Mémoire SDRAM IC 64 Mb (2M x 32) parallèle à 167 MHz 5,5ns 86-TSOP II