Tous les produits
Personne à contacter : Zhao
Numéro de téléphone : +8613724359686
Whatsapp : +8618018788085

AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.

  • AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
Nom de marque Alliance Memory, Inc.
Numéro de modèle Le numéro d'immatriculation du véhicule doit être le numéro de référence de l'autorité compétente.
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
Conditions de paiement T/T
Capacité d'approvisionnement En stock

Contactez-moi pour des aperçus gratuits et des bons.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Si vous avez n'importe quel souci, nous fournissons l'aide en ligne de 24 heures.

x
Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR Capacité de la mémoire 512Mbit
Organisation de mémoire 32M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 200 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 700 picosecondes Voltage - alimentation 2.3V | 2.7V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 66-TSSOP (0,400", largeur de 10.16mm) Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 66-TSOP II
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TIN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TCN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1A-5TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1A-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TANTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TAN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C8M16D1-5TIN IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TAN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TCN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TCN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
MT46V32M16TG-5B IT:J IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
MT46V32M16TG-5B IT:JTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
MT46V16M16TG-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
MT46V16M16TG-5B:MTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M8D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
Laisser un message
Part Number Description
Description de produit

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Alliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 66-TSSOP (0,400", largeur de 10,16 mm)
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.3 V ~ 2,7 V
Produit fourni par le fournisseur 66-TSOP II
Capacité de mémoire 512M (32M x 16)
Type de mémoire REM DDR SDR
Vitesse 200 MHz
Format-mémoire La RAM
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI