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IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

  • IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nom de marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Numéro de modèle Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM Capacité de la mémoire 16Mbit
Organisation de mémoire 1M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 143 mégahertz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 5,5 NS Voltage - alimentation 3V à 3,6V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées: Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 60-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Les pièces d'un type ou d'un type de véhicule ne doivent pas être utilisées pour le transport de mar
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Part Number Description
IS42S16100H-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100H-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100H-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
AS4C4M16SA-7B2CNTR IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
AS4C4M16SA-7B2CN IC DRAM 64MBIT PAR 60FBGA
IS42S16400J-7B2LI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400J-7B2LI IC DRAM 64MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100H-7BLA2 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100C1-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-6BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BL-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16400D-7BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100C1-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-7B-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100E-7BI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16400D-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PAR 60MINIBGA
IS42S16100E-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100E-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BLI-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-6BL-TR IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS42S16100F-7BL IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS42S16100F-7BL-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1 IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
IS45S16100E-7BLA1-TR IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
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Description de produit

Détails du produit

DESCRIPTION La DRAM synchrone ISSI de 16 Mb IS42S16100 est organisée en une banque de 524 288 mots x 16 bits x 2 pour une performance améliorée.Les DRAM synchrones permettent un transfert de données à grande vitesse grâce à une architecture de pipeline. Tous les signaux d'entrée et de sortie se réfèrent au bord croissant de l'entrée de l'horloge.

Caractéristiques

• Fréquence horlogère: 166, 143, 100 MHz
• entièrement synchrone; tous les signaux sont référencés sur un cadran positif
• Deux banques peuvent fonctionner simultanément et indépendamment
• Banque interne double contrôlée par A11 (banque sélectionnée)
• alimentation unique de 3,3 V
• Interface LVTTL
• Longueur de rafale programmable 1, 2, 4, 8, page complète
• Séquence d'explosion programmable: séquentielle/intermédiaire
• Auto-actualisation, auto-actualisation
• 4096 cycles de mise à jour toutes les 128 ms
• Adresse de colonne aléatoire à chaque cycle d'horloge
• latence du CAS programmable (2, 3 heures)
• Capacité de lecture/écriture rapide et de lecture/écriture rapide
• Termination de l'explosion par commande d'arrêt de l'explosion et de précharge
• Byte contrôlé par LDQM et UDQM
• Paquet 400 millimètres à 50 broches TSOP II

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis 60 - TFBGA
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 3 V à 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur Les pièces d'un type ou d'un type de véhicule ne doivent pas être utilisées pour le transport de marchandises.
Capacité de mémoire 16M (1M x 16)
Type de mémoire SDRAM
Vitesse 143 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

Mémoire SDRAM IC 16 Mb (1M x 16) parallèle 143 MHz 5,5 ns 60-TFBGA (6,4 x 10,1)
16M, 3.3V, mémoire SDRAM, 1MX16, 143MH
La RAM 16M, 3,3 V, la SDRAM 1Mx16, 143 MHz, est conforme à la réglementation RoHS.
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI