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MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALÈL 144FBGA Micron Technology Inc.

  • MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT4N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N2N
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie DRACHME Capacité de la mémoire 288 Mbit
Organisation de mémoire 16 M x 18 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 400 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 20 ns Voltage - alimentation 1.7V à 1.9V
Température de fonctionnement 0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 144-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Les pièces d'un type ou d'un type de véhicule ne doivent pas contenir plus d'une partie de l'équipem
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Part Number Description
MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25E:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-18:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-18 IT:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-18 IT:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36FM-5 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36FM-25 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H32M9FM-25 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36FM-33 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H16M16FM-5 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36BM-33 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H32M9FM-33 TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H16M18SJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36FM-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H16M18CSJ-25 IT:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36FM-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H32M18CSJ-25E IT:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-25E:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36FM-25 IT:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36FM-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
MT49H8M36SJ-5:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-TI:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-TI:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25E:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M9SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-25:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H64M9SJ-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18SJ-18:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M18CSJ-18:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25E:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25 IT:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M18CSJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25 IT:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H16M36SJ-25:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H8M36SJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H32M9SJ-25:B IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
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MT49H32M18SJ-25:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
MT49H64M9SJ-25E:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
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MT49H16M18CSJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
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Description de produit

Détails du produit

Définition générale

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. RLDRAM ne nécessite pas de multiplexage d'adresses ligne/colonne et est optimisé pour un accès aléatoire rapide et une bande passante à grande vitesse.
La RLDRAM est conçue pour les entrepôts de données de communication tels que les tampons de transmission ou de réception dans les systèmes de télécommunications ainsi que les applications de mise en cache de données ou d'instructions nécessitant de grandes quantités de mémoire.

Caractéristiques

• 2,5 V VEXT, 1,8 V VDD, 1,8 V VDDQ I/O
• Adressage cyclique pour une bande passante maximale de sortie de données
• Adresses non multiplexées
• Éclaboussure séquentielle de deux (2-bits) sans interruption
préfetch) et quatre (4 bits préfetch) DDR
• Taux de transmission cible de 600 Mb/s/s
• La latence de lecture programmable (RL) est de 5 à 8
• Signal de validité des données (DVLD) activé lorsque des données de lecture sont disponibles
• les signaux de masque de données (DM0/DM1) pour masquer d'abord et
Deuxième partie de l'écriture de données
• Scan des limites JTAG conforme à la norme IEEE 1149.1
• Pseudo-HSTL 1.8V d'entrée/sortie
• Précharge automatique interne
• Exigences de rafraîchissement: 32 ms à 100 °C
température (8K pour chaque banque, 64K pour chaque banque)
La commande doit être émise en tout toutes les 32 ms)

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR)
Boîtier de colis Les produits de la catégorie 1
Température de fonctionnement 0°C à 95°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 10,7 V à 1,9 V
Produit fourni par le fournisseur Unité de mesure de la température
Capacité de mémoire 288M (16M x 18)
Type de mémoire RLDRAM 2
Vitesse 2.5ns
Format-mémoire La RAM

Décrits

Mémoire DRAM IC 288 Mb (16M x 18) parallèle 400 MHz 20ns 144-FBGA (18.5 x 11)
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI