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MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc. Il s'agit d'une plateforme qui est utilisée par les fournisseurs de services de téléphonie mobile.

  • MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA Micron Technology Inc.
Nom de marque Micron Technology Inc.
Numéro de modèle MT41K256M8DA-125 : K
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3L Capacité de la mémoire 2Gbit
Organisation de mémoire 256M x 8 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 800 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 13,75 NS Voltage - alimentation 1.283V | 1.45V
Température de fonctionnement 0°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 78-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 78-FBGA (8x10.5)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 XIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AAT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AAT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AUT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:P IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:M IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-15E:M IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125:K TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-125 AIT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-125 IT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K128M8DA-107 IT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41J256M8DA-093:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N TR IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K128M8DA-107 AIT:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K256M8DA-107 AIT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K256M8DA-107 IT:K TR IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-125:P TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
MT41K512M8DA-093 IT:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G8RKB-107:N IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K512M8DA-93:P IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
MT41K1G4DA-107:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

[MCL]

Amplificateur de laboratoire CW TWT

Pour les essais radar, électromagnétiques et électriques

L'amplificateur haut débit MT4100 s'appuie sur l'architecture MT4000 TWT éprouvée sur le terrain.

Avec une conception modulaire, un emballage compact et efficace, le MT4100 affichera une fiabilité inégalée.

Les caractéristiques:

Des capacités de diagnostic étendues
Conception thermique avancée
Taille compacte
Refroidissement par conduit
Opération silencieuse

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis Pour les appareils de traitement de l'air
Température de fonctionnement 0°C à 95°C (TC)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 1.283 V ~ 1.45 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 2G (256M x 8)
Type de mémoire La mémoire SDRAM DDR3L
Vitesse 800 MHz
Format-mémoire La RAM
Mfr Micron Technology Inc. est une société
Le paquet Plateau
Statut du produit Actif
Type de mémoire Les produits de base
Format de mémoire DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire 2Gb (256M x 8)
Interface mémoire Parallèlement
Fréquence d'horloge 800 MHz
Écrire-cycle-temps-mot-page -
Temps d'accès 13,75 ns
Appareil de régulation de la tension Pour les appareils à commande numérique
Type de montage Monture de surface
Boîtier de colis Pour les appareils de traitement de l'air
Numéro du produit de base MT4A2203M2

Composant fonctionnel compatible

Forme,emballage,composant compatible fonctionnel

Partie du fabricant Définition Produit de fabrication Comparer
H5TQ2G83CFR-H9C
La mémoire		 La carte DRAM DDR, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. L'utilisation de produits chimiques est interdite.
MT41K256M8DA-125IT:K
La mémoire		 La capacité de traitement est de 0,05 m3/s. Micron Technology Inc. est une société MT41K256M8DA-125:K contre MT41K256M8DA-125IT:K
Les données de l'échantillon sont fournies à l'autorité compétente.
La mémoire		 La carte SDR est un système de mémoire à puce, un système de mémoire à puce, un système de mémoire à puce et un système de mémoire à puce. SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83FFR-PBC
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'étiquette.
La mémoire		 La carte DRAM DDR, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83CFR-PBC
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de lin.
La mémoire		 La carte DRAM DDR, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K contre H5TC2G83CFR-PBA
MT41K256M8DA-125:M
La mémoire		 La RAM DDR, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, sans plomb, FBGA-78 est également disponible. Micron Technology Inc. est une société Les prix de vente sont calculés en fonction de la valeur de l'offre.
MT41K256M8DA-107:K
La mémoire		 La carte SDR est un système de mémoire à puce de type DDR, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10,50 MM, 1,20 MM de hauteur, sans plomb, FBGA-78. Micron Technology Inc. est une société MT41K256M8DA-125:K contre MT41K256M8DA-107:K
Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes:
La mémoire		 La carte DRAM DDR, 256MX8, 0,195ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83DFR-RDC
Les produits doivent être présentés dans les conditions suivantes:
La mémoire		 La carte DRAM DDR, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83EFR-PBC
Les données relatives à l'utilisation de l'équipement doivent être fournies à l'autorité compétente.
La mémoire		 La carte DRAM DDR, 256MX8, 0,225ns, CMOS, PBGA78, sans halogène et conforme à la réglementation ROHS, FBGA-78 SK Hynix Inc. MT41K256M8DA-125:K contre H5TQ2G83DFR-PBC

Décrits

SDRAM - mémoire IC DDR3L 2Gb (256M x 8) parallèle 800MHz 13,75ns 78-FBGA (8x10,5)
La carte SD est un fichier de type SD.
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI