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W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Électronique de Winbond

  • W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA Winbond Electronics
Nom de marque Winbond Electronics
Numéro de modèle W631GG6KB-12
Quantité de commande min 1
Prix Based on current price
Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
Délai de livraison 3 à 5 jours ouvrables
Conditions de paiement T/T
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR3 Capacité de la mémoire 1Gbit
Organisation de mémoire 64M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 800 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page -
Temps d'accès 20 ns Voltage - alimentation 1.425V | 1.575V
Température de fonctionnement 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 96-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
W631GG6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GU6KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 96WBGA
W632GG6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W632GG6KB15J IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GG6KB-18 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB11I IC DRAM 2GBIT PAR 96WBGA
W632GU6KB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GG6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GG6KB15J IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
W631GU6KB12J IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96WBGA
W631GU6KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 96WBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Définition générale

Le W631GG6KB est une mémoire SD-RAM DDR3 de 1G bits, organisée en 8,388,608 mots x 8 banques x 16 bits. Cet appareil atteint des taux de transfert à haute vitesse allant jusqu'à 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) pour diverses applications.- 12 ansLes vitesses de -11 sont conformes à la spécification DDR3-1866 (13-13-13).Les catégories de vitesses 12A et 12K sont conformes à la spécification DDR3-1600 (11-11-11) (la catégorie industrielle 12I qui est garantie pour supporter -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)Les vitesses -15, 15I, 15A et 15K sont conformes à la spécification DDR3-1333 (9-9-9) (la vitesse industrielle 15I qui est garantie pour supporter -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C).

Caractéristiques

Le système d'alimentation doit être équipé d'une alimentation électrique: VDD, VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
L'architecture du double débit de données: deux transferts de données par cycle d'horloge
8 banques internes pour une opération simultanée
L'architecture de précommande de 8 bits
CAS latence: 6, 7, 8, 9, 10, 11 et 13
Les modes de longueur de rafale 8 (BL8) et de rafale 4 (BC4) sont fixés par le biais d'un registre de mode (MRS) ou sélectionnables à la volée (OTF).
¢ Ordonnance de lecture par rafale programmable: séquentielle entrelacée ou mordue
Les données sont transmises/reçues avec des strobes bidirectionnelles et différentielles (DQS et DQS#)
L'alignement de bord avec les données de lecture et l'alignement du centre avec les données d'écriture
DLL aligne les transitions DQ et DQS avec l'horloge
¢ Les entrées différentielles de l'horloge (CK et CK#)
Les commandes entrées sur chaque bord CK positif, les données et le masque de données sont référencées sur les deux bords d'une paire de stroboscope différentielle (double débit de données)
- CAS affiché avec latence additive programmable (AL = 0, CL - 1 et CL - 2) pour une meilleure efficacité des bus de commande, d'adresse et de données
La fréquence de lecture est la fréquence additive plus la fréquence CAS (RL = AL + CL).
- fonctionnement de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture
Réinitialiser, auto-réinitialiser, auto-réinitialiser (ASR) et auto-réinitialiser partiellement le tableau (PASR)
Éteindre le courant préchargé et éteindre le courant actif

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Électronique Winbond
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Catégories Les connecteurs rectangulaires - ensembles, type de bord, mezzanine (de planche à planche)
Produit de fabrication Hirose Electric Co Ltd.
Série IT1
Emballage Plateau
Le statut de la partie Actif
Type de connecteur Module, connecteurs de bande centrale
Nombre de postes 252 positions
Le tonnerre 0.020 " (0,50 mm)
Nombre de lignes 2 rangées
Type de montage -
Caractéristiques À double face
Contact-Finition D'or
Épaisseur de la finition de contact -
Hauteurs d'empilement -
Hauteur au-dessus de la planche -

Décrits

SDRAM - mémoire DDR3 IC 1Gb (64M x 16) parallèle 800MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
La carte SDRAM est une carte SDRAM de 1 Gbit 64Mx16 1.5V 96 pin WBGA.
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI