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IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.

  • IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Nom de marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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Détails d'emballage sacs antistatiques et boîtes en carton
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Détails sur le produit
Type de mémoire Volatil Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM-DDR Capacité de la mémoire 256Mbit
Organisation de mémoire 16M x 16 Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge 166 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 700 picosecondes Voltage - alimentation 2.3V | 2.7V
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA) Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 60-TFBGA Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 60-TFBGA (8x13)
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
Part Number Description
IS43R16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160F-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160F-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16160D-5BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-5BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16160D-6BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R16320D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43R86400D-5BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R86400D-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-5BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46R16320D-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
Description de produit

Détails du produit

Caractéristiques

• Voltage standard: VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
• Basse tension (L): VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rétrospectivement compatible à 1,5 V
• Les taux de transfert de données à grande vitesse avec une fréquence du système allant jusqu'à 933 MHz
• 8 banques internes pour une opération simultanée
• Architecture de pré-remplacement 8n-bit
• latence CAS programmable
• La latence additive programmable est de 0, CL-1, CL-2
• latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
• Longueur de rafale programmable: 4 et 8
• Séquence d'explosion programmable: séquentielle ou intermédiaire
• Commutateur BL à la volée
• Autorefresh automatique (ASR)
• Température de rafraîchissement automatique (SRT)
• Intervalle de mise à jour:
7.8 us (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C à 85°C
3.9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 105°C
• Autorefresquage par matrice partielle
• broche de réinitialisation asynchrone
• TDQS (Termination Data Strobe) pris en charge (x8 uniquement)
• OCD (réglage de l'impédance du pilote hors puce)
• ODT dynamique (termination immédiate)
• Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• Écrire le nivellement
• Jusqu'à 200 MHz en mode DLL éteint
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux (TC = 0°C à +95°C)
Industrie (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Le secteur privé
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Emballage de remplacement de plateau
Boîtier de colis 60 - TFBGA
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.3 V ~ 2,7 V
Produit fourni par le fournisseur Le nombre d'étoiles est déterminé par la fréquence d'écoulement.
Capacité de mémoire 256 M (16 M x 16)
Type de mémoire REM DDR SDR
Vitesse 166 MHz
Format-mémoire La RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR IC 256 Mb (16M x 16) parallèle 166MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
La carte SDRAM est une carte SDRAM de 256 Mbit 16Mx16 2.5V à 60 broches TFBGA
DRAM 256M, 2,5 V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Étiquettes:

Mémoire instantanée stable IC

Mémoire instantanée IC non volatil

Mémoire INSTANTANÉE IC de SPI