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W9725G6KB-25 TR IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA Électronique Winbond
| Nom de marque | Winbond Electronics |
|---|---|
| Numéro de modèle | Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | DRACHME |
|---|---|---|---|
| Technologie | SDRAM-DDR2 | Capacité de la mémoire | 256Mbit |
| Organisation de mémoire | 16M x 16 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | 400 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 picosecondes | Voltage - alimentation | 1.7V à 1.9V |
| Température de fonctionnement | 0°C | 85°C (COMITÉ TECHNIQUE) | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 84-TFBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils de traitement des déchets |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9725G6KB-25 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6NB-25 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W9725G6KB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6NB-25 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W972GG6KB-25 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6NB-18 | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W971GG6NB25I | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W9712G6KB-25 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA | |
| W9712G6KB-25 | IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA | |
| W9712G6KB25I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA | |
| W9712G6KB25I | IC DRAM 128MBIT PAR 84TFBGA | |
| W9725G6KB-18 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA | |
| W9725G6KB25I TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9725G6KB-18 | IC DRAM 256MBIT PAR 84WBGA | |
| W9725G6KB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6NB-18 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W971GG6NB25I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 18 84TFBGA | |
| W972GG6KB-25 TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W972GG6KB-18 TR | IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA | |
| W972GG6KB-18 | IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA | |
| W972GG6KB25I TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W972GG6KB25I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9725G6IB-25 | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6IB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6KB-25 | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9725G6JB25I | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6KB-18 | IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA | |
| W971GG6KB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6KB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6KB-18 | IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA | |
| W9751G6KB25I | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6SB-18 | IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA | |
| W971GG6SB-25 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6SB25I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6KB-18 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA | |
| W971GG6KB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6KB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6SB-18 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 84WBGA | |
| W971GG6SB25I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6KB-18 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 84WBGA | |
| W9751G6KB25I TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W972GG8KB-18 | IC DRAM 2GBIT PAR 84WBGA | |
| W972GG8KB25I | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W972GG8KB-25 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W9751G6KB-25 TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84WBGA | |
| W971GG6SB-25 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA |
Description de produit
Détails du produit
Définition générale
Le W9725G6JB est une RAM SDR2 DDR2 de 256 M bits, organisée en 4,194,304 mots x 4 banques x 16 bits. Cet appareil atteint des taux de transfert à haute vitesse allant jusqu'à 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) pour diverses applications.,Les pièces de qualité -18 sont conformes à la spécification DDR2-1066 (7-7-7).Les pièces de qualité -25/25I/25A/25K sont conformes aux spécifications DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (les pièces de qualité industrielle 25I qui sont garanties pour supporter -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Les pièces de grade -3 sont conformes à la spécification DDR2-667 (5-5-5).
Caractéristiques
• alimentation électrique: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• Architecture à double débit de données: deux transferts de données par cycle d'horloge
• CAS latence: 3, 4, 5, 6 et 7
• Longueur de l'explosion: 4 et 8
• Les strobes bidirectionnelles et différentielles (DQS et DQS) sont transmises/reçues avec les données
• Bordée alignée avec les données de lecture et centre alignée avec les données d'écriture
• DLL aligne les transitions DQ et DQS avec l'horloge
• Entrées d'horloge différentielle (CLK et CLK)
• Masques de données (DM) pour l'écriture de données
• Les commandes entrées sur chaque bord CLK positif, les données et le masque de données sont référencées sur les deux bords du DQS
• La latence additive programmable CAS publiée est prise en charge pour rendre l'efficacité du bus de commande et de données
• Lecture de la latence = latence additive plus latence CAS (RL = AL + CL)
• Réglage de l'impédance hors puce-conducteur (OCD) et de la terminaison à l'arrêt (ODT) pour une meilleure qualité du signal
• Opération de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture
• Mode de mise à jour automatique et de mise à jour automatique
• Désactivation préchargée et active
• Écrire un masque de données
• Écrire la latence = Lire la latence - 1 (WL = RL - 1)
• Interface: SSTL_18
• Emballé en boule WBGA 84 (8X12,5 mm2), avec des matériaux sans plomb et conformes à la norme RoHS
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Électronique Winbond |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR) |
| Boîtier de colis | Pour l'équipement de la catégorie 84-TFBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C à 85°C (TC) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 10,7 V à 1,9 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils de traitement des déchets |
| Capacité de mémoire | 256 M (16 M x 16) |
| Type de mémoire | La mémoire SDRAM DDR2 |
| Vitesse | 2.5ns |
| Format-mémoire | La RAM |
Décrits
Mémoire IC 84-WBGA (8x12.5)
La carte SD est un fichier de type DDR2.
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