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IS61NLP25618A-200B3LI-TR IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
| Nom de marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| Numéro de modèle | Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure. |
| Quantité de commande min | 1 |
| Prix | Based on current price |
| Détails d'emballage | sacs antistatiques et boîtes en carton |
| Délai de livraison | 3 à 5 jours ouvrables |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | En stock |
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Whatsapp:0086 18588475571
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xDétails sur le produit
| Type de mémoire | Volatil | Format de mémoire | SRAM |
|---|---|---|---|
| Technologie | SRAM - Synchrone, DTS | Capacité de la mémoire | 4.5Mbit |
| Organisation de mémoire | 256K x 18 | Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence du signal d'horloge | 200 MHz | Écrivez la durée de cycle - Word, page | - |
| Temps d'accès | 3.1 ns | Voltage - alimentation | 3.135V à 3.465V |
| Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) | Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 165-TBGA | Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le nombre d'équipements à l'intérieur de l'appareil est de 165. |
Vous pouvez cocher les produits dont vous avez besoin et communiquer avec nous dans le babillard électronique.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS61NLP25618A-200B3LI-TR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61NLP25618A-200B3LI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3LI-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3LI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-200B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPS51236A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPS51236A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61NLP25618A-200B3I | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61NLP25618A-200B3I-TR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-200B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-250B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-200B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-200B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-200B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-250B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-200B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-200B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-250B3I-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-250B3-TR | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD102418A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPD51236A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD102418A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-200B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-200B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-250B3 | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61VPD51236A-250B3I | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA | |
| IS61LPS12836A-200B3I | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165PBGA |
Description de produit
Détails du produit
Définition
La famille de produits 4 Meg NLP/NVP est dotée de mémoires RAM statiques synchrones à haute vitesse et à faible consommation conçues pour fournir un état explosif, haute performance et sans attente,appareil destiné aux applications de réseautage et de communicationIls sont organisés en 128K mots par 32 bits, 128K mots par 36 bits, et 256K mots par 18 bits, fabriqués avec la technologie CMOS avancée de l'ISSI.
Caractéristiques
• 100% d'utilisation des bus• Aucun cycle d'attente entre lecture et écriture
• Cycle d'écriture automatique interne
• Contrôle d'écriture par octet individuel
• Un seul broche de commande R/W (lire/écrire)
• Contrôle par horloge, adresse enregistrée, données et contrôle
• Contrôle de la séquence d'éclatement linéaire ou interligée à l'aide de l'entrée MODE
• Trois puces permettent une expansion simple de la profondeur et un pipeline d'adresse
• Mode d'arrêt
• Entrées et sorties de données communes
• épingle CKE pour activer l'horloge et suspendre le fonctionnement
• JEDEC 100 broches TQFP, 165 boules PBGA et 119 boules PBGA
• alimentation électrique:
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage de type VDD.
L'utilisation de l'électronique est limitée à la puissance de l'appareil.
• Température industrielle disponible
• Disponible sans plomb
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Le secteur privé |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure. |
| Le type | Synchrone |
| Emballage | Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR) |
| Mode de montage | DSM/SMT |
| Boîtier de colis | Le nombre de points de contact est le suivant: |
| Température de fonctionnement | -40°C à 85°C (TA) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Le nombre de pièces de rechange doit être le même que le nombre de pièces de rechange. |
| Capacité de mémoire | 4.5M (256K x 18) |
| Type de mémoire | SRAM - synchrone |
| Vitesse | 200 MHz |
| Taux de données | Les DTS |
| Temps d'accès | 3.1 ns |
| Format-mémoire | La RAM |
| Température de fonctionnement maximale | + 85 C |
| Plage de température de fonctionnement | - Quarante degrés. |
| Type d'interface | Parallèlement |
| Organisation du projet | 256 k x 18 |
| Le courant d'approvisionnement maximal | 210 mA |
| Voltage d'alimentation maximal | 3.465 V |
| Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme à la norme ISO 7638:2003. | 3.135 V |
| Boîtier de colis | BGA-165 |
| Fréquence d'horloge maximale | 200 MHz |
Décrits
SRAM - mémoire synchrone IC 4,5 Mb (256 K x 18) parallèle 200 MHz 3,1 ns 165 BGA (13 x 15)
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 165 broches BGA T/R
SRAM 4M (256Kx18) 200MHz Sync SRAM 3,3 v
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